恭喜成都微泰科技有限公司李鑫获国家专利权
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龙图腾网恭喜成都微泰科技有限公司申请的专利一种硅光芯片与激光器的封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110888206B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911232826.X，技术领域涉及：G02B6/42；该发明授权一种硅光芯片与激光器的封装结构及封装方法是由李鑫设计研发完成，并于2019-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅光芯片与激光器的封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅光芯片与激光器的封装结构，所述封装结构包括基座，基座设置与硅光芯片连接的基座贴合面、与激光器芯片和一体化反射镜透镜连接的基座上表面；基座设置通孔，通孔顶部开口与一体化反射镜透镜的出光面连接、通孔底部开口与硅光芯片的光栅耦合器表面连接；激光器芯片靠近一体化反射镜透镜的入光面的一端设置高斯光束出口；激光器芯片的高斯光束方向水平射入一体化反射镜透镜的入光面、经一体化反射镜透镜的反射面折射到一体化反射镜透镜的出光面、穿过通孔聚焦到光栅耦合器表面；所述基座贴合面与基座上表面延伸面的夹角为a1。通过对基座的底部进行加工形成斜角，角度的设计满足耦合光栅的最佳入射角。
本发明授权一种硅光芯片与激光器的封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种硅光芯片与激光器的封装结构，其特征在于：所述封装结构包括基座，基座设置与硅光芯片10连接的基座贴合面6、与激光器芯片1和一体化反射镜透镜连接的基座上表面5；基座设置通孔，通孔顶部开口与一体化反射镜透镜的出光面4连接、通孔底部开口与硅光芯片10的光栅耦合器表面连接；激光器芯片1靠近一体化反射镜透镜的入光面2的一端设置高斯光束出口；激光器芯片1的高斯光束方向水平射入一体化反射镜透镜的入光面2、经一体化反射镜透镜的反射面3反射到一体化反射镜透镜的出光面4、穿过通孔聚焦到光栅耦合器表面；所述基座贴合面6与基座上表面5延伸面的夹角为a1，且a1为13°±1°；所述基座为钨铜基座；所述激光器芯片1通过陶瓷衬底7与基座上表面5连接。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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