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龙图腾网恭喜英特尔公司申请的专利导电过孔及金属线端制造及由其所得的结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111052345B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201780094240.4，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权导电过孔及金属线端制造及由其所得的结构是由C·H·华莱士;R·帕特尔;H·朴;M·K·哈兰;D·巴苏;C·W·沃德;R·A·布雷恩设计研发完成，并于2017-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本导电过孔及金属线端制造及由其所得的结构在说明书摘要公布了：描述了导电过孔和金属线端制造。在示例中，一种互连结构包括在硬掩模层上的第一层间电介质ILD，其中，ILD包括第一ILD开口和第二ILD开口。互连结构还包括ILD层上的蚀刻停止层ESL，其中，ESL包括与第一ILD开口对准以形成第一过孔开口的第一ESL开口，并且其中，ESL层包括与第二ILD开口对准的第二ESL开口。互连结构还包括第一过孔开口中的第一过孔；第一ESL上的第二ILD层；第二ILD层中的金属线，其中，金属线与第一过孔接触，并且其中，金属线包括第一金属开口，并且其中，金属线包括与第二ILD开口和第二ESL开口对准以形成第二过孔开口的第二金属开口。互连结构还包括第一金属开口中的金属线端，并进一步包括金属线中的第二过孔，其中，第二过孔在第二过孔开口中。

本发明授权导电过孔及金属线端制造及由其所得的结构在权利要求书中公布了：1.一种互连结构，包括：硬掩模层上的第一层间电介质ILD层，其中，所述第一层间电介质层包括第一层间电介质开口和第二层间电介质开口；所述第一层间电介质层上的蚀刻停止层ESL，其中，所述蚀刻停止层包括与所述第一层间电介质开口对准以形成第一过孔开口的第一蚀刻停止层开口，并且其中，所述蚀刻停止层包括与所述第二层间电介质开口对准的第二蚀刻停止层开口；所述第一过孔开口中的第一过孔；所述第一蚀刻停止层上的第二层间电介质层；所述第二层间电介质层中的金属线，其中，所述金属线与所述第一过孔接触，并且其中，所述金属线包括第一金属开口，并且其中，所述金属线包括与所述第二层间电介质开口和所述蚀刻停止层开口对准以形成第二过孔开口的第二金属开口；所述第一金属开口中的金属线端；以及所述金属线中的第二过孔，其中，所述第二过孔在所述第二过孔开口中。

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