恭喜长鑫存储技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110957280B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811120461.7，技术领域涉及：H01L23/13；该发明授权半导体结构及其形成方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2018-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。在半导体结构的绝缘介质层中穿插有应力缓冲层，以反向制衡绝缘介质层的应力，避免在绝缘介质层的应力作用下导致基底发生翘曲的问题。并且，利用应力缓冲层还能够有效阻挡水汽侵入，一方面可以提高钝化层图形的精度，另一方面还可以避免应力缓冲层下方的膜层受到水汽侵蚀的问题。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括基底和形成在所述基底上的钝化层，所述钝化层包括绝缘介质层和应力缓冲层，所述应力缓冲层沿着基底表面的方向穿插在所述绝缘介质层中，并且所述应力缓冲层的应力和所述绝缘介质层的应力相反，所述应力缓冲层沿着所述基底表面呈现为凹凸不平的形貌，所述绝缘介质层的厚度大于所述应力缓冲层的厚度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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