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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利采用模制中介层的晶圆级封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113140519B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110410673.4，技术领域涉及：H01L23/29；该发明授权采用模制中介层的晶圆级封装是由施信益设计研发完成，并于2017-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本采用模制中介层的晶圆级封装在说明书摘要公布了：本发明涉及采用模制中介层的晶圆级封装。一种模制中介层，包含：一第一模塑料层，具有一第一面及一相对于第一面的第二面；一第一重分布层RDL结构，设在第一面上；一第二重分布层RDL结构，设在第二面上；多个金属插塞，埋设在第一模塑料层中，以电连接第一重分布层结构与第二重分布层结构；以及一无源器件，埋设在第一模塑料层中。

本发明授权采用模制中介层的晶圆级封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，其包括：模制中介层，其包括：第一模塑料，其具有第一面及与所述第一面相对的第二面；第一重分布层RDL结构，其安置在所述第一面上；第二重分布层RDL结构，其安置在所述第二面上；金属插塞，其埋设在所述第一模塑料中，且电连接所述第一重分布层RDL结构与所述第二重分布层RDL结构；以及无源器件，所述无源器件中的每一者通过表面黏着技术SMT设置且电连接到所述第一重分布层RDL结构，所述无源器件中的每一者被所述第一模塑料完全埋设并完全包围，所述第一模塑料的厚度大于所述无源器件中的每一者的厚度；半导体芯片，其设置在所述第一重分布层RDL结构上且在所述第一重分布层RDL结构的与所述无源器件相对的一面以倒装芯片的方式与其电连接，所述半导体芯片中的每一者通过使用连接件的直接连接而电连接到所述无源器件中的对应一者并具有覆盖所述对应一者的封装，以在所述半导体芯片中的每一者与所述无源器件中的所述对应一者之间使用所述第一重分布层RDL结构形成面对面连接；第二模塑料，其位于所述第一重分布层RDL结构的与所述无源器件相对的所述一面上，所述第二模塑料囊封所述半导体芯片的至少一者，所述第一模塑料与所述第二模塑料具有彼此不同的组成，所述第二模塑料的玻璃转化温度低于所述第一模塑料的玻璃转化温度；以及锡球，其设置在所述第二重分布层RDL结构上。

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