恭喜北京天科合达半导体股份有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司刘春俊获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京天科合达半导体股份有限公司;江苏天科合达半导体有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司申请的专利一种高质量碳化硅单晶衬底、其制备方法及检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115976642B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211728462.6，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权一种高质量碳化硅单晶衬底、其制备方法及检测方法是由刘春俊;雍庆;娄艳芳;姚静;王光明;彭同华;杨建设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高质量碳化硅单晶衬底、其制备方法及检测方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高质量碳化硅单晶衬底，所述高质量碳化硅单晶衬底在显微镜暗场模式下观察，且所述观察是在10倍物镜及以上放大倍数状态，亮点的密度小于10cm‑2。与现有技术相比，本发明提供的碳化硅单晶制备的衬底的内部缺陷密度很低，在该种碳化硅单晶衬底上制备器件时，一方面器件的良率很高，另一方面制备获得的器件的性能指标优异。
本发明授权一种高质量碳化硅单晶衬底、其制备方法及检测方法在权利要求书中公布了：1.一种高质量碳化硅单晶衬底的制备方法，其特征在于，包括：在密闭空间的底部放置碳化硅粉料，顶部固定籽晶，所述碳化硅粉料的表面积与籽晶的表面积的比值大于等于3；所述碳化硅粉料的高度与籽晶的直径的比值小于等于0.3；碳化硅粉料与籽晶之间为生长腔室，所述生长腔室的侧壁设置有石墨组件，所述石墨组件围成的空腔的纵截面为顶部宽底部窄的梯形；在保护气氛中加热生长，得到碳化硅单晶衬底；所述石墨组件的纵截面底部不与侧壁接触的夹角为15°~25°；所述空腔的纵截面的顶部长度比碳化硅籽晶的直径长10~15mm；所述石墨组件与密闭空间顶部之间的距离与石墨组件高度的比在0.3至1之间；所述碳化硅籽晶的亮点密度10cm-2。
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