恭喜江苏镓宏半导体有限公司陈明获国家专利权
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龙图腾网恭喜江苏镓宏半导体有限公司申请的专利一种氮化镓器件的外延结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000149B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210535624.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种氮化镓器件的外延结构及制备方法是由陈明设计研发完成，并于2022-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓器件的外延结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓外延结构，属于半导体技术领域。包括硅衬底，所述硅衬底之上外延生长有缓冲层，所述缓冲层之上外延生长有周期性结构的高阻抗层，所述高阻抗层的每个周期的结构为由非故意掺杂的非故意掺杂的AlyGa1‑yN、故意掺杂的GaN层、AlxGa1‑xN依次生长形成，其中，x＝0.2～0.4，y＝0.6～0.8；所述高阻抗层之上外延生长有非故意掺杂氮化镓层；所述非故意掺杂氮化镓层之上外延生长有势垒层，通过高阻抗层的两种晶格存在偏差的材料交替的周期性结构，能够使得位错在该层内发生弯曲，从而减少由于晶格失配造成的位错缺陷延伸至势垒层，能有效缓解前述器件因为缺陷较多导致的漏电流与击穿特性问题。
本发明授权一种氮化镓器件的外延结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓器件的外延结构，包括硅衬底101，其特征在于，所述硅衬底101之上外延生长有缓冲层201，所述缓冲层201之上外延生长有周期性结构的高阻抗层301，所述高阻抗层301的每个周期的结构为由非故意掺杂的AlyGa1-yN、故意掺杂的GaN层、非故意掺杂的AlxGa1-xN依次生长形成，其中，x＝0.2～0.4，y＝0.6～0.8；所述高阻抗层301之上外延生长有非故意掺杂氮化镓层401；所述非故意掺杂氮化镓层401之上外延生长有势垒层501。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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