恭喜西门子股份公司罗伯特·戈斯波斯获国家专利权
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龙图腾网恭喜西门子股份公司申请的专利具有至少两个在基底上接触的功率半导体布置的功率模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078833B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110949238.9，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权具有至少两个在基底上接触的功率半导体布置的功率模块是由罗伯特·戈斯波斯;卢茨·纳米斯洛;贝恩德·屈滕;费利克斯·蔡斯;迈克尔·恩德雷斯;西尔维奥·赫内;彼得罗·博塔佐利设计研发完成，并于2021-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有至少两个在基底上接触的功率半导体布置的功率模块在说明书摘要公布了：本发明涉及具有至少两个在基底上接触的功率半导体布置的功率模块，其中，该功率模块具有至少两个在基底4上接触的、布置在壳体18中的功率半导体布置6、8。为改进功率模块2的可靠性，提出功率半导体布置6、8分别具有至少一个半导体构件10，其中，壳体18在相对置的侧20、22上具有功率接口DCp、DCn、AC，其中，基底4具有从功率接口DCp、DCn、AC到功率半导体布置6、8的馈电线24，其中，馈电线24、28、30布置在基底4上，使得实现对称的电流引导。
本发明授权具有至少两个在基底上接触的功率半导体布置的功率模块在权利要求书中公布了：1.一种功率模块2，具有至少两个在基底4上接触的、布置在壳体18中的功率半导体布置，其中，所述功率半导体布置分别具有至少一个半导体构件10，其中，所述壳体18在相对置的侧上具有功率接口，其中，所述基底4具有从所述功率接口到所述功率半导体布置的馈电线，其中，所述馈电线布置在所述基底4上，使得实现对称的电流引导，其中，第一功率接口和第二功率接口布置在所述壳体18的至少一个第一侧上，其中，第一功率半导体布置布置在第二功率半导体布置与所述壳体18的所述第一侧上的功率接口之间，其中，布置在所述基底4上的、连接所述第二功率接口与所述第二功率半导体布置的馈电线双侧地并且对称地经过所述第一功率半导体布置延伸地布置。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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