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龙图腾网恭喜上海维安半导体有限公司申请的专利一种多层超结半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111863623B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010868843.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种多层超结半导体器件的制备方法是由任杰;马治军;苏海伟设计研发完成，并于2020-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多层超结半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件的制造技术领域，尤其涉及一种多层超结半导体器件的制备方法，包括：步骤S1，在具有第一导电类型杂质的半导体衬底上执行一外延工艺以形成一外延层；步骤S2，于外延层上淀积一保护层，并对外延层执行刻蚀工艺，以在外延层上形成多个凹槽；步骤S3，对多个凹槽执行外延工艺，以形成具有第二导电类型杂质的填充区；步骤S4，去除保护层，执行一抛光工艺以使填充区和外延层的上表面齐平，填充区和外延层交替排列形成一层超结结构；重复步骤S1～S4复数次，以形成具有复数层超结结构的复合结构。有益效果：本发明的制备方法形成的超结器件能实现更高耐压能力，改善超高压器件的EMI问题，并且工艺成本较低。

本发明授权一种多层超结半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多层超结半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，在具有第一导电类型杂质的半导体衬底上执行一外延工艺以形成一外延层；步骤S2，于所述外延层上淀积一保护层，并对所述外延层执行刻蚀工艺，以在所述外延层上形成多个凹槽；步骤S3，对多个所述凹槽执行所述外延工艺，以形成具有第二导电类型杂质的填充区；步骤S4，去除所述保护层，执行一抛光工艺以使所述填充区和所述外延层的上表面齐平，所述填充区和所述外延层交替排列形成一层超结结构；重复所述步骤S1~S4复数次，以形成具有复数层所述超结结构的复合结构；所述复合结构包括三层所述超结结构：一第一层超结结构、一第二层超结结构以及一第三层超结结构，在所述第一层超结结构上形成所述第二层超结结构，在所述第二层超结结构上形成所述第三层超结结构；所述第一层超结结构的所述外延层的杂质浓度小于所述第二层超结结构的所述外延层的杂质浓度，且偏浓比率的范围为5%~15%之间；所述第二层超结结构的所述外延层的杂质浓度小于所述第三层超结结构的所述外延层的杂质浓度，且偏浓比率的范围为5%~15%之间；形成从下到上外延层的浓度和填充区的浓度同时变化的结构。

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