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龙图腾网恭喜厦门乾照半导体科技有限公司申请的专利可测试的微器件排列结构及其制作方法、测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111398773B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010360243.1，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权可测试的微器件排列结构及其制作方法、测试方法是由谈江乔;柯志杰;艾国齐;刘鉴明;黄青青设计研发完成，并于2020-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本可测试的微器件排列结构及其制作方法、测试方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种可测试的微器件排列结构及其制作方法、测试方法，微器件排列结构，包括衬底、位于衬底上呈阵列排布的多个微LED芯片，微LED芯片上第一电极和第二电极位于背离衬底的一侧，以及与微LED芯片的第一电极和或第二电极电性连接的扩展电极，扩展电极的面积较大，且一个扩展电极同时电性连接2‑4个微LED芯片的电极。由于扩展电极的面积较大，使得微LED芯片能够使用探针进行光电性能测试；而扩展电极同时连接2‑4个微LED芯片的电极，使得测试过程中，探针移动次数能够相对于逐个测试的探针移动次数减少，从而能够节约测试时间；同时避免因为串联或并联时，由于坏点造成测试误差，提高了测试的准确度。

本发明授权可测试的微器件排列结构及其制作方法、测试方法在权利要求书中公布了：1.一种可测试的微器件排列结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上呈阵列排布的多个微LED芯片，每个所述微LED芯片包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均位于所述微LED芯片结构背离所述衬底的一侧；位于所述第一电极和所述第二电极背离所述衬底一侧的扩展电极，所述扩展电极用于与所述第一电极和或所述第二电极电性连接；平坦化层和阻挡层，所述平坦化层位于所述衬底表面，所述阻挡层位于所述平坦化层和所述微LED芯片上，且所述阻挡层暴露出所述微LED芯片的所述第一电极和所述第二电极，所述扩展电极位于所述阻挡层背离所述衬底的表面；一个所述扩展电极同时连接2-4个微LED芯片的电极，且所述扩展电极的面积大于与其连接的微LED芯片的电极面积之和，以使得采用探针电连接两个扩展电极对微LED芯片检测时，每两个探针单独检测一个微LED芯片。

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