恭喜台湾积体电路制造股份有限公司李欣怡获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111863620B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910824425.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权集成电路器件及其制造方法是由李欣怡;李雅惠;李达元;苏庆煌设计研发完成，并于2019-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及集成电路器件及其制造方法。一种方法，包括：形成栅极电介质，该栅极电介质包括在第一半导体区域上延伸的第一部分；形成阻挡层，该阻挡层包括在栅极电介质的第一部分上方延伸的第一部分；形成第一功函数调整层，该第一功函数调整层包括位于阻挡层的第一部分上方的第一部分；将掺杂元素掺杂到第一功函数调整层中；移除第一功函数调整层的第一部分；使阻挡层的第一部分变薄；以及在阻挡层的第一部分上方形成功函数层。
本发明授权集成电路器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造集成电路器件的方法，包括：形成栅极电介质，所述栅极电介质包括在第一半导体区域上延伸的第一部分；形成阻挡层，所述阻挡层包括在所述栅极电介质的所述第一部分上方延伸的第一部分；形成第一功函数调整层，所述第一功函数调整层包括位于所述阻挡层的所述第一部分上方的第一部分；将掺杂元素掺杂到所述第一功函数调整层中，其中所述掺杂元素包括铝；移除所述第一功函数调整层的所述第一部分，其中所述第一功函数调整层的所述第一部分在栅极间隔件之间的沟槽中延伸，并且所述第一功函数调整层的所述第一部分的处于所述沟槽的底部的第一底部部分被移除；在所述第一功函数调整层的所述第一部分经移除之后，使所述阻挡层的所述第一部分变薄，其中所述阻挡层的所述第一部分的处于所述沟槽的底部的第二底部部分被变薄；以及在所述变薄之后，在所述阻挡层的所述第一部分上方形成功函数层，其中所述功函数层包括铝。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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