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龙图腾网恭喜贵州芯际探索科技有限公司申请的专利一种SiC功率器件封装可靠性检测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119780656B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510283948.0，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种SiC功率器件封装可靠性检测方法及系统是由郝乐;李钢;刘春春;张洪叶设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC功率器件封装可靠性检测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件测试技术领域，具体涉及一种SiC功率器件封装可靠性检测方法及系统。本发明获取待测器件的导通电阻随测试电流变化的导通电阻变化曲线；基于预设导通电阻标称值及预设导通电阻容差，筛选出异常导通电阻，进而获取导通电阻变化曲线中的异常变化子段；根据异常变化子段的变化趋势及变化速度，结合其波动特征，获取待测器件的异常指数；对待测器件进行若干次测试，根据所有测试过程中的异常指数的相似特征及所有导通电阻变化曲线的相似特征，结合异常指数，获取待测器件的可靠性指数，进而评估待测器件的封装可靠性。本发明在动态测试环境下分析导通电阻的动态变化情况，提高对碳化硅功率器件的封装可靠性检测的准确性。

本发明授权一种SiC功率器件封装可靠性检测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种SiC功率器件封装可靠性检测方法，其特征在于，所述方法包括：获取待测器件在不同测试电流下的导通电阻，并获取所述导通电阻随测试电流变化的导通电阻变化曲线；基于预设导通电阻标称值及预设导通电阻容差，从所有所述导通电阻中筛选出异常导通电阻；根据首次出现的所述异常导通电阻，获取所述导通电阻变化曲线中的异常变化子段；根据所述异常变化子段的变化趋势及变化速度，获取待测器件的所述导通电阻的异常变化增长指数；根据所述异常变化子段的波动特征，结合所述异常变化增长指数，获取待测器件的异常指数；对待测器件进行若干次测试，获取每个测试过程对应所述导通电阻变化曲线，以及待测器件在每个测试过程中的所述异常指数；根据所有所述异常指数的相似特征及所有所述导通电阻变化曲线的相似特征，结合所述异常指数，获取待测器件的可靠性指数；基于所述可靠性指数评估待测器件的封装可靠性。

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