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龙图腾网恭喜南开大学申请的专利一种基于单个手性稀土配合物分子电致圆偏振发光的光电器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119636217B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510163100.4，技术领域涉及：B32B33/00；该发明授权一种基于单个手性稀土配合物分子电致圆偏振发光的光电器件及其制备方法是由郭雪峰;姜宇;司伟;程丽;贾传成设计研发完成，并于2025-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于单个手性稀土配合物分子电致圆偏振发光的光电器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电致发光的光电器件技术领域，尤其涉及一种基于单个手性稀土配合物分子电致圆偏振发光的光电器件及其制备方法，该光电器件的自旋霍尔效应检测层包括铂薄膜和非磁性金属检测电极，非磁性金属检测电极设置于铂薄膜长度方向的侧缘；石墨烯点电极设置于绝缘层的上表面宽度方向的侧缘，分子异质结的两端分别通过酰胺键与石墨烯点电极连接形成石墨烯点电极‑分子异质结阵列，磁性金属电极设置于石墨烯点电极上表面宽度方向的外侧缘，该光电器件将稀土配合物优异的光电性能与分子电子学技术相结合，提高了光电器件在单分子层面的检测灵敏度，该制备方法反应条件温和、操作简单，有利于该光电器件的推广使用。

本发明授权一种基于单个手性稀土配合物分子电致圆偏振发光的光电器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于单个手性稀土配合物分子电致圆偏振发光的光电器件，其特征在于，包括沿高度方向自下至上依次设置衬底、自旋霍尔效应检测层、自旋调控缓冲层、光激发自旋源层和绝缘层；其中，所述自旋霍尔效应检测层包括铂薄膜和非磁性金属检测电极，所述铂薄膜覆盖于所述衬底上，所述非磁性金属检测电极设置于所述铂薄膜长度方向的侧缘；其中，所述光激发自旋源层为钽薄膜，所述绝缘层的材料为无机材料；所述基于单个手性稀土配合物分子电致圆偏振发光的光电器件还包括石墨烯点电极、分子异质结和磁性金属电极，所述石墨烯点电极设置于所述绝缘层的上表面宽度方向的侧缘，所述分子异质结的两端分别通过酰胺键与石墨烯点电极连接形成石墨烯点电极-分子异质结阵列，所述磁性金属电极设置于所述石墨烯点电极上表面宽度方向的外侧缘；其中，所述分子异质结由单个手性稀土配合物分子构成，所述手性稀土配合物分子的结构式如下所示： ；其中，R为铕、镓、钆和铽中的任一种。

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