恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司王瑞获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119458848B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510059120.7，技术领域涉及：B29C48/28；该发明授权浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构是由王瑞;盛云;许玉威;黄爽;高志杰设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构，具体涉及半导体技术领域。所述浅沟槽隔离结构的制备方法包括：提供基底，所述基底包括衬底和形成在所述衬底内的沟槽氧化物，所述沟槽氧化物凸出于所述衬底的部分具有凹陷；在所述衬底上形成图形化的硬掩模层，所述图形化的硬掩模层在对应所述沟槽氧化物的区域具有开口；在所述图形化的硬掩模层上形成氧化物层，所述氧化物层覆盖所述沟槽氧化物并填充所述凹陷；以所述图形化的硬掩模层为停止层，平坦化处理所述氧化物层；去除所述图形化的硬掩模层。该方法可以有效改善浅沟槽隔离结构中的凹陷问题，提高器件的可靠性。
本发明授权浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基底，所述基底包括衬底和形成在所述衬底内的沟槽氧化物，所述沟槽氧化物凸出于所述衬底的部分具有凹陷；在所述衬底上形成图形化的硬掩模层，所述图形化的硬掩模层在对应所述沟槽氧化物的区域具有开口；在所述图形化的硬掩模层上形成氧化物层，所述氧化物层覆盖所述沟槽氧化物并填充所述凹陷；以所述图形化的硬掩模层为停止层，平坦化处理所述氧化物层；去除部分所述氧化物层，以调节所述沟槽氧化物与所述衬底的高度差；去除所述图形化的硬掩模层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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