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龙图腾网恭喜安徽大学申请的专利BTI测试电路、晶圆中MOS管的BTI测试方法与设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119438851B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510027241.3，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权BTI测试电路、晶圆中MOS管的BTI测试方法与设备是由朱盛鑫;胡薇;卢文娟设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本BTI测试电路、晶圆中MOS管的BTI测试方法与设备在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路测试领域，具体涉及一种BTI测试电路、晶圆中MOS管的BTI测试方法与设备。BTI测试电路包括一个由3组以上NMOS管和PMOS管构成的反相器链，以及一个由两个PMOS管和两个NMOS管构成的使能电路。使能电路采用或非门电路或与非门电路的架构；使能电路用于向反相器链输出控制信号，进而使得反相器链上的所有偶数位或所有奇数位上的MOS管处于相同的偏置状态，以支持对状态同步的各个MOS管的BTI效应进行并行测试。该BTI测试电路还可以利用被测电路中的晶体管搭建以进一步降低测试方案的硬件成本和可复用性。该方案解决了现有晶体管BTI测试和芯片可靠性评估的效率较低，成本较高的问题。

本发明授权BTI测试电路、晶圆中MOS管的BTI测试方法与设备在权利要求书中公布了：1.一种BTI测试电路，其特征在于：其包括一个由3组以上待测电路中的NMOS管和PMOS管构成的反相器链，以及一个由两个PMOS管和两个NMOS管构成的使能电路；所述反相器链中每组NMOS管和PMOS管构成反相器，各个反相器依次级联，各个反相器输入端以及最后一级反相器的输出端分别记为电位点Pad1~Padn；所有PMOS管的源极相连并记为电位点PadA；使能电路包括P6、P7、N6、N7，P6和N6的栅板连接反相器链的输出端；P6、P7、N6的漏极相连并接反相器链的输入端；N6的源极接N7的漏极；N7的源极与反相器链中所有NMOS管的源极相连并记为电位点PadB；N7、P7的栅极相连并记为电位点PadC；所述反相器链中偶数位上的各个PMOS管的NBTI效应的测量过程包括：先将Pad1~Padn浮空，PadA接Vhigh，PadB和PadC接0V；则反相器链中偶数位的反相器中各个PMOS管处于负偏置状态；再将Pad1~Padn接－Vdd，PadA和PadB接0V，PadC浮空，则反相器链中偶数位的反相器中的各个PMOS管处于测试状态；在测试状态下，测量Pad1~Padn的电位并计算出偶数位的反相器中各个PMOS管的阈值电压Vth和饱和漏极电流Idsat，进而分析出对应PMOS管的NBTI效应。

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