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龙图腾网恭喜微通新材料科学研究(江苏)有限公司申请的专利双网络结构银基低温高热导封装材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119035872B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411539619.X，技术领域涉及：B23K35/30；该发明授权双网络结构银基低温高热导封装材料及其制备方法和应用是由施忠良;张睿怡;贾宁;赵庭瑞;尹衍利设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本双网络结构银基低温高热导封装材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双网络结构银基低温高热导封装材料及其制备方法和应用，该银基低温高热导封装材料的制备方法包括：提供具有多孔网络结构的银质材料，银质材料中的孔为定向或非定向的、且孔径为微纳米级的通孔，银质材料的孔隙率为25%～95%；将呈熔融态的低熔点焊料均匀涂布于银质材料上，并经辊压后得到具有双网络结构的银基低温高热导封装材料。该制备方法简单、合理、操作灵活，所得银基低温高热导封装材料的结构致密、并具有优异的高热导率、低熔点、无污染等特性，很好的满足了半导体低温封装需求。

本发明授权双网络结构银基低温高热导封装材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种双网络结构银基低温高热导封装材料的制备方法，其特征在于：包括以下制备步骤：S1：按重量百分含量计，将40%～80%的银粉粉末、5%～20%的粘结剂、5%～20%的有机溶剂和10%～20%的造孔剂混合均匀后制得浆料，所述造孔剂采用聚丙烯；将所述浆料涂布或轧制制成膜材毛坯，然后对膜材毛坯依次进行烘干和高温烧结，制得具有阵列式多孔网络结构的银质材料，所述银质材料中的孔为定向的、且孔径为微纳米级的通孔，所述银质材料的孔隙率为25%～95%；另外，所述烘干在真空烘箱中进行，所述高温烧结的具体加工条件为：选用氮气作为保护气体，选用氢气作为还原气体；于750～900℃下烧结30～120min；S2：将低熔点焊料加热至熔化、得到低熔点焊料的熔融料，并控制使所述低熔点焊料的熔融料的温度比其熔点高出10℃～20℃；其中，所述低熔点焊料采用纯锡、Sn-Bi合金、Sn-In合金和Sn-Bi-In合金中的任意一种；利用涂布机将所述低熔点焊料的熔融料均匀涂布于预热后的所述银质材料上，使得呈熔融态的所述低熔点焊料填充满所述银质材料上的所有所述通孔的同时，呈熔融态的所述低熔点焊料还均匀涂布满所述银质材料的表面；利用辊压机对涂布有所述低熔点焊料的熔融料的所述银质材料进行辊压加工，得到具有双网络结构的银基低温高热导封装材料。

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