买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜浙江广芯微电子有限公司申请的专利沟槽肖特基二极管的能效分析方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118966123B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411450800.3，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权沟槽肖特基二极管的能效分析方法及装置是由谢刚;徐显修设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽肖特基二极管的能效分析方法及装置在说明书摘要公布了：本申请提供了沟槽肖特基二极管的能效分析方法及装置，涉及半导体制造技术领域，包括：建立沟槽肖特基二极管的应用场景集合，并进行能效关联参数的关键度分析，建立关键能效参数；配置理想仿真模型进行应用场景集合的模拟测试，记录模拟测试结果，建立沟槽肖特基二极管的理想能效表现；利用应用场景集合搭建测试场景，执行沟槽肖特基二极管的能效测试，建立场景能效测试结果；对齐场景能效测试结果和理想能效表现，建立场景能效和寄生能效损失；根据场景能效和寄生能效损失进行应用场景能效管理。本申请解决了现有方法难以捕捉应用场景差异和寄生效应对能效的影响，导致能效分析不够全面和准确的技术问题，提高了能效分析的准确性与全面性。

本发明授权沟槽肖特基二极管的能效分析方法及装置在权利要求书中公布了：1.沟槽肖特基二极管的能效分析方法，其特征在于，所述方法包括：建立沟槽肖特基二极管的应用场景集合，对所述应用场景集合进行能效关联参数的关键度分析，建立与应用场景集合映射的关键能效参数；配置沟槽肖特基二极管的理想仿真模型，通过应用场景集合进行理想仿真模型的模拟测试，根据关键能效参数进行模拟测试结果记录，建立沟槽肖特基二极管的理想能效表现，所述理想能效表现与应用场景集合具有映射关系；利用应用场景集合搭建测试场景，并基于测试场景执行沟槽肖特基二极管的能效测试，建立场景能效测试结果；将场景能效测试结果和理想能效表现进行数据对齐后，利用理想能效表现和场景能效测试结果建立场景能效和寄生能效损失；根据所述场景能效和寄生能效损失进行沟槽肖特基二极管的应用场景能效管理；其中，所述利用理想能效表现和场景能效测试结果建立场景能效和寄生能效损失，还包括：建立联合物理场模型，所述联合物理场模型为电-热物理场耦合模型；调用模拟测试的测试数据，将所述测试数据作为输入数据，输入至所述联合物理场模型，生成温升拟合结果；利用温升拟合结果进行理想能效表现的能效补偿，将能效补偿结果作为场景能效；基于场景能效测试结果和场景能效建立寄生能效损失；其中，所述根据所述场景能效和寄生能效损失进行沟槽肖特基二极管的应用场景能效管理，还包括：对沟槽肖特基二极管进行材料的老化测试，建立老化变性时间节点，所述老化变性时间节点映射有老化结果；利用所述老化变性时间节点进行寄生能效损失的老化能效损失拟合，建立老化寄生能效损失；利用寄生能效损失进行寄生效应的温度依赖分析，基于温度依赖分析结果建立温度寄生能效损失；根据老化寄生能效损失、温度寄生能效损失进行沟槽肖特基二极管的应用场景能效管理。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江广芯微电子有限公司，其通讯地址为：323000 浙江省丽水市莲都区南明山街道七百秧街122号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。