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龙图腾网恭喜福建晶旭半导体科技有限公司申请的专利一种BAW滤波器结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114499450B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210044126.3，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权一种BAW滤波器结构及制备方法是由王钢;涂雨佳;卢星;陈梓敏设计研发完成，并于2022-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种BAW滤波器结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种BAW滤波器结构及制备方法，涉及射频滤波技术。针对现有技术中应力问题导致不能工业化生产而提出本方案，将相互独立的压电薄膜单元生成于外延衬底表面得到转移结构体；在支撑衬底上设置谐振区域并覆盖键合单元得到键合结构体；将转移结构体上下表面翻转，令底电极单元与谐振区域一一对应键合得到BAW结构体；去除外延衬底，在压电薄膜单元原本与外延衬底接触的表面生成顶电极单元。优点在于，因为结构简单、工艺简单、隔离度高、应力问题极小，使在批量生产的时候实现成本低、效率高、良率高，适合应用于工业化生产中，以及尤其适用于单晶薄膜器件的工业化制作。

本发明授权一种BAW滤波器结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种BAW滤波器结构的制备方法，其特征在于，包括：制作转移结构体100的步骤：在外延衬底110上沉积压电薄膜120、底电极单元131，对底电极单元131进行图形化处理，然后刻蚀压电薄膜120直至露出外延衬底110，形成两个以上相互独立的压电薄膜单元121，得到转移结构体100；其中，压电薄膜单元121上一一对应设置有底电极单元131；制作键合结构体200的步骤：在支撑衬底210上设置两个以上互相独立的谐振区域，分别在各谐振区域上覆盖键合单元231，根据图形化设计按需将键合单元231电性互联，得到键合结构体200；各谐振区域位置与各压电薄膜单元121位置分别轴对称；转移键合的步骤：将转移结构体100上下表面翻转，令底电极单元131与谐振区域一一对应键合得到BAW结构体300；去除外延衬底110，在压电薄膜单元121原本与外延衬底110接触的表面生成顶电极单元141。

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