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龙图腾网恭喜中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利半导体材料纳米尺度少数载流子扩散系数测量装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114414969B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111387342.X，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权半导体材料纳米尺度少数载流子扩散系数测量装置和方法是由王亚坤;刘争晖;徐耿钊;宋文涛;张春玉;陈科蓓;韩厦;徐科设计研发完成，并于2021-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体材料纳米尺度少数载流子扩散系数测量装置和方法在说明书摘要公布了：提供了一种半导体材料纳米尺度少数载流子扩散系数测量装置和方法。该测量装置包括：光源组件，用于产生单色光和脉冲光；样品台，用于承载半导体样品或石墨样品；导电针尖，用于逼近承载于样品台上的半导体样品的表面目标区域或石墨样品，且与半导体样品或石墨样品间隔设置；及扫描开尔文探针显微镜，连接导电针尖，且用于在无光和加单色光时分别获取逼近表面目标区域的导电针尖上的第一接触电势差和第二接触电势差，且用于获取逼近石墨样品的导电针尖上的第三接触电势差；光谱探测器，用于在加脉冲光时获取表面目标区域的少数载流子的寿命；计算装置，用于根据第一接触电势差、第二接触电势差、第三电势差以及少数载流子的寿命计算出所述扩散系数。

本发明授权半导体材料纳米尺度少数载流子扩散系数测量装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体材料纳米尺度少数载流子扩散系数测量装置，其特征在于，所述测量装置包括：光源组件，用于产生单色光和脉冲光；样品台，用于承载半导体样品或石墨样品；导电针尖，与所述样品台可相对移动地设置，所述导电针尖用于逼近承载于所述样品台上的所述半导体样品的表面目标区域或所述石墨样品，且与所述半导体样品或所述石墨样品间隔设置；以及扫描开尔文探针显微镜，连接所述导电针尖，所述扫描开尔文探针显微镜用于在无光和加所述单色光时分别获取逼近所述表面目标区域的所述导电针尖上的第一接触电势差和第二接触电势差，且用于获取逼近所述石墨样品的所述导电针尖上的第三接触电势差；光谱探测器，用于在加所述脉冲光时获取所述半导体样品的表面目标区域的少数载流子的寿命；计算装置，用于根据所述第一接触电势差、所述第二接触电势差、所述第三接触电势差以及所述少数载流子的寿命计算出所述半导体样品的纳米尺度少数载流子的扩散系数；其中，所述计算装置包括：第一计算单元，用于根据所述第一接触电势差和所述第二接触电势差计算出所述表面目标区域的空间电荷区的宽度W和扩散长度L之和W+L；第二计算单元，用于根据所述第一接触电势差和所述第三接触电势差计算出所述表面目标区域的空间电荷区的宽度W；第三计算单元，用于利用所述表面目标区域的空间电荷区的宽度W和扩散长度L之和W+L减去所述表面目标区域的空间电荷区的宽度W，以得到所述表面目标区域的空间电荷区的扩散长度L；第四计算单元，用于根据所述表面目标区域的空间电荷区的扩散长度L和所述少数载流子的寿命τ计算出所述半导体样品的纳米尺度少数载流子扩散系数D。

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