恭喜三菱电机株式会社小西和也获国家专利权
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龙图腾网恭喜三菱电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114447097B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111244415.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置是由小西和也;西康一;新田哲也设计研发完成，并于2021-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：目的在于提供能够降低接通电压的技术。半导体装置具有：载流子积蓄层；作为上层多晶硅的上层有源部，其配置于沿着将载流子积蓄层贯通的沟槽的上部的内壁的第1绝缘膜之上，与栅极电极连接；以及下层多晶硅，其配置于沿着沟槽的下部的内壁的第2绝缘膜之上，在下层多晶硅与上层有源部之间配置有第3绝缘膜。上层有源部的下端与载流子积蓄层的下端相比位于下方。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具有：半导体基板，其设置有发射极电极以及栅极电极；第1导电型的载流子积蓄层，其配置于所述半导体基板的上表面侧；第2导电型的基极层，其配置于所述载流子积蓄层的所述上表面侧；第1导电型的源极层，其配置于所述基极层的所述上表面侧；作为上层多晶硅的上层有源部，其配置于沿着沟槽的上部的内壁的第1绝缘膜之上，与所述栅极电极连接，该沟槽将所述源极层、所述基极层以及所述载流子积蓄层贯通；以及下层多晶硅，其配置于沿着所述沟槽的下部的内壁的第2绝缘膜之上，在所述下层多晶硅与所述上层有源部之间配置有第3绝缘膜，所述下层多晶硅是与所述发射极电极连接的下层哑部、与所述栅极电极连接的下层有源部以及电浮置的下层浮置部的任一者，所述上层有源部的下端与所述载流子积蓄层的下端相比位于下方。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三菱电机株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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