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龙图腾网恭喜复旦大学申请的专利一种快速生长双层石墨烯单晶的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115726033B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111011430.X，技术领域涉及：C30B29/02；该发明授权一种快速生长双层石墨烯单晶的方法是由孙正宗;巩鹏;唐灿设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种快速生长双层石墨烯单晶的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种快速生长双层石墨烯单晶的方法，包括以下步骤：步骤1，把催化剂和抛光处理后的铜箔放入两个石英舟并置于石英管内，石英管外部有加热套和管式炉，将催化剂置于加热套中心，铜箔置于管式炉中央，打开连接石英管的真空泵，对加热套和管式炉进行升温，直到压强降低至预设压强；步骤2，在真空中对铜箔退火处理；步骤3，向石英管中通入氢气和二氧化碳，并迅速调节压力，在催化剂作用下反应生成甲烷、一氧化碳和水，甲烷作为直接碳源，在含氧刻蚀性组分中在铜箔上生长得到双层石墨烯单晶；步骤4，将铜箔从管式炉中央移出，通入氢气并在设定压力中迅速降温；步骤5，取出降温至室温的铜箔，并将铜箔上的双层石墨烯单晶转移到硅片上。

本发明授权一种快速生长双层石墨烯单晶的方法在权利要求书中公布了：1.一种快速生长双层石墨烯单晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，把催化剂和抛光处理后的铜箔分别放入两个石英舟中并置于石英管内，该石英管的外部分别设有加热套和管式炉，将所述催化剂置于加热套的中心位置，将所述铜箔置于所述管式炉的中央，打开连接所述石英管内部的真空泵，并对所述加热套和所述管式炉进行升温，直到所述石英管内的压强降低至预设压强；步骤2，在真空的氛围下，对所述铜箔进行退火处理；步骤3，将二氧化碳作为碳源，氢气作为还原气，向所述石英管中通入氢气和二氧化碳，并迅速调节压力，所述二氧化碳和所述氢气在所述催化剂作用下反应生成甲烷、一氧化碳和水，所述甲烷作为直接碳源，在含氧刻蚀性组分中在所述铜箔上生长得到双层石墨烯单晶；步骤4，生长结束后，将所述铜箔从所述管式炉的中央移出，只通入氢气并在设定压力的氛围中迅速降温；步骤5，取出降温至室温的所述铜箔，并将所述铜箔上的所述双层石墨烯单晶转移到硅片上，其中，所述含氧刻蚀性组分为二氧化碳、一氧化碳和水，所述含氧刻蚀性组分和所述甲烷的比例为1.2-1.3，所述催化剂为NiAl2O3，该催化剂的催化温度为300℃，生长温度为1000℃-1055℃，所述步骤3中，氢气的通入流量为200sccm，二氧化碳的通入流量为1.5sccm，调节压力至1000Pa-1200Pa，所述双层石墨烯单晶在所述铜箔上的生长时长为40min，所述步骤4中，氢气流量为100sccm，设定压力为100Pa。

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