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龙图腾网恭喜湖南汇思光电科技有限公司申请的专利基于自组装生长技术的量子点及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730464B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510206828.0，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权基于自组装生长技术的量子点及其制备方法是由杨骏捷;曾冬妮;付慧清;潘淑洁设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于自组装生长技术的量子点及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于自组装生长技术的量子点及其制备方法，选择GaAs衬底，进行升温去除氧化层并除气；再进行GaAs缓冲层的生长；升高温度，进行AlGaAs缓冲层的生长；降低衬底温度，再生长一层GaAs缓冲层；降低衬底温度，并且修改生长腔中V族元素和III族元素速流比，生长一层InGaAs量子阱；修改生长腔中V族元素和III族元素速流比，在量子阱上生长InAs材料，通过自组装的技术形成量子点；升高温度，生长InAlAs应力缓冲层，再生长一层InGaAs盖层，再生长GaAs间隔层。运用应力缓冲层，使用复合盖层，减小量子点受到的应力，从而增大量子点的尺寸，最终得到需求的特殊波长的量子点。

本发明授权基于自组装生长技术的量子点及其制备方法在权利要求书中公布了：1.基于自组装生长技术的量子点的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S100：选择GaAs衬底，对GaAs衬底进行升温去除氧化层并除气；S200：在GaAs衬底上使用分子束外延技术在500℃~600℃高温条件下进行GaAs缓冲层的生长；S300：升高GaAs衬底温度至620℃~650℃，在GaAs缓冲层上进行AlGaAs缓冲层的生长；S400：降低衬底温度至500℃~600℃，在AlGaAs缓冲层上再生长一层GaAs缓冲层；S500：再次降低衬底温度至450℃到600℃之间，并且修改生长腔中V族元素和III族元素速流比在15~45的区间内，在GaAs缓冲层上生长一层InGaAs量子阱；S600：再次修改生长腔中V族元素和III族元素速流比在10~50的区间内，在InGaAs量子阱上生长InAs材料，通过自组装的技术形成InAs量子点；S700：在InAs量子点上进一步升高10~40℃的温度，生长InAlAs应力缓冲层，紧接着生长一层InGaAs盖层，在InGaAs的盖层上生长GaAs间隔层，之后进行衬底的升温到500℃~600℃，生长高温的GaAs间隔层，完成量子点的制备。

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