恭喜安徽长飞先进半导体股份有限公司谢炜获国家专利权
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龙图腾网恭喜安徽长飞先进半导体股份有限公司申请的专利半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486212B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510049078.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆是由谢炜;白明月;罗成志设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括半导体本体、栅极结构、填充层、源极和漏极。半导体本体的第一表面设置有延伸至半导体本体中的源极沟槽，半导体本体还包括位于源极沟槽内壁的绝缘层，绝缘层还包括从源极沟槽内壁延伸至源极沟槽外的至少部分。栅极结构从第一表面延伸至半导体本体中。填充层包括相连的第一部和第二部，第一部设置于源极沟槽内，第二部位于第一表面远离第二表面的一侧，在平行于第一表面的第一方向上朝至少一侧延伸，并覆盖绝缘层，第一部的材料和第二部的材料相同。本申请所提供的技术方案旨在提高半导体器件的可靠性。
本发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体本体，所述半导体本体被设置为第一导电类型，包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面设置有源极沟槽，所述源极沟槽从所述第一表面延伸至所述半导体本体中；所述半导体本体还包括位于所述源极沟槽内壁的绝缘层，所述绝缘层还包括从所述源极沟槽内壁延伸至所述源极沟槽外的至少部分；栅极结构，从所述第一表面延伸至所述半导体本体中；填充层，包括相连的第一部和第二部；所述第一部设置于所述源极沟槽内；所述第二部位于所述第一表面远离所述第二表面的一侧，在平行于所述第一表面的第一方向上朝至少一侧延伸，并覆盖所述绝缘层；所述第一部的材料和所述第二部的材料相同；源极，设置于所述第一表面；漏极，设置于所述第二表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽长飞先进半导体股份有限公司，其通讯地址为：241002 安徽省芜湖市弋江区马塘街道利民东路82号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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