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龙图腾网恭喜苏州华太电子技术股份有限公司申请的专利一种GaN HEMT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384002B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411920163.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种GaN HEMT器件是由岳丹诚;张耀辉;张晓宇设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN HEMT器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种GaNHEMT器件，包括：N型的低阻的衬底；接地的背面接地金属，形成在衬底的背侧；P型的SiC材料的外延层，形成在衬底的整个上表面，外延层的上表面分为外延层第一区域和外延层第二区域；第一通孔，自外延层第一区域向下形成，且第一通孔的底端进入到衬底内；N型连接区，由N型材料填充在第一通孔内形成，且N型连接区的下端进入到衬底内；GaNHEMT正面结构，形成在外延层第二区域之上；背面接地金属、N型的衬底和N型的N型连接区连接，且接到所述GaNHEMT器件。本申请提供了新结构的GaNHEMT器件。

本发明授权一种GaN HEMT器件在权利要求书中公布了：1.一种GaNHEMT器件，其特征在于，包括：N型的低阻的衬底（10）；接地的背面接地金属（32），形成在所述衬底（10）的背侧；P型的SiC材料的外延层，形成在所述衬底之上，所述外延层的上表面分为外延层第一区域和外延层第二区域；第一通孔，自所述外延层第一区域向下形成，且所述第一通孔的底端进入到所述衬底（10）内；N型连接区（20），由N型材料填充在所述第一通孔内形成，且所述N型连接区（20）的下端进入到所述衬底（10）内；GaNHEMT正面结构，形成在所述外延层第二区域之上；其中，所述背面接地金属（32）、N型的所述衬底（10）和所述N型连接区（20）连接，且接到所述GaNHEMT器件；其中，通过背面接地金属（32）、N型的衬底（10）和N型连接区（20）连接已经将接地的背面接地金属（32）的零电位接到了N型连接区（20）的上表面，实现零电位已经接到了GaNHEMT器件内部且在厚度方向的中部位置。

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