恭喜华中科技大学王兴晟获国家专利权
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龙图腾网恭喜华中科技大学申请的专利一种基于忆阻器的近似加法器电路的控制方法及装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119883183B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510361286.4,技术领域涉及:G06F7/50;该发明授权一种基于忆阻器的近似加法器电路的控制方法及装置是由王兴晟;李梦婕;甘周超;缪向水设计研发完成,并于2025-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于忆阻器的近似加法器电路的控制方法及装置在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于忆阻器的近似加法器电路的控制方法及近似加法器装置,属于微电子器件技术领域;其中,近似加法器电路仅包括2n+1个忆阻器和一个电阻,本发明将两个n‑bit数的近似相加过程划分为初始化和n轮近似加法子过程,并使每一轮近似加法子过程均执行1‑bit近似加法操作;在每一轮近似加法子过程中选取对应的第一、第二、第三忆阻器,只需要对第一和第二忆阻器进行置态及对各忆阻器和电阻进行加压三步操作即可实现1‑bit近似加法操作,使得整个近似加法所需的实际操作步骤仅为2n+1步;与现有的n‑bit近似加法器相比,能够在采用较少的器件和操作步骤的条件下以较高的计算精度实现近似加法运算。
本发明授权一种基于忆阻器的近似加法器电路的控制方法及装置在权利要求书中公布了:1.一种基于忆阻器的近似加法器电路的控制方法,其特征在于,用于实现n-bit数an......a2a1与bn......b2b1的近似相加;所述近似加法器电路包括:电阻和2n+1个相同的忆阻器;各忆阻器的负极均连接在同一条源线SL上;源线SL的一端悬空,另一端与电阻的一端相连;n≥1;所述控制方法包括:从2n+1个忆阻器中选取n个忆阻器,分别写入逻辑值a1~an;从剩余的忆阻器中选取一个忆阻器,写入输入进位c1;其余未置值的忆阻器均置为高阻态;依次执行n轮近似加法子过程;其中,在第i轮近似加法子过程中执行以下操作:在第一时间周期下,将写入逻辑值ai的忆阻器作为第一忆阻器,并在其正极施加电压-V;将存储进位ci的忆阻器作为第二忆阻器,并使其正极浮空;从未置值的忆阻器中选取一个忆阻器作为第三忆阻器,并在其正极施加电压VP;在电阻的另一端施加幅值为0的电压;此时,在第三忆阻器中得到进位;在第一时间周期之后的第二时间周期下,在第一忆阻器的正极施加电压V-VP;在第二忆阻器的正极施加电压VP;使第三忆阻器的正极浮空;在电阻的另一端施加电压-V;此时,在第二忆阻器中得到求和结果;其中,i=1,2,...,n;当逻辑值bi为0时,V取值为0;当逻辑值bi为1时,V取值为VP;VP满足Vset2VPVset,且VP2|Vreset|;Vset为忆阻器由高阻态转变为低阻态的阈值;Vreset为忆阻器由低阻态转变为高阻态的阈值;sn......s2s1和cn+1即为所求n-bit数an......a2a1与bn......b2b1的近似相加结果。
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