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龙图腾网恭喜江苏帝奥微电子股份有限公司申请的专利一种适用于高压LDO的低漏电流使能控制电路及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119472912B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510068118.6，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种适用于高压LDO的低漏电流使能控制电路及方法是由钟睿铭;徐飞;靳瑞英设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于高压LDO的低漏电流使能控制电路及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适用于高压LDO的低漏电流使能控制电路及方法，包含偏置单元、关断单元和输出单元，偏置单元的输出端与关断单元的输入端连接为关断单元提供静态偏置电流，关断单元的输出端与输出单元的输入端连接为输出单元提供一个可控的高压域电源，输出单元的第一输出端与低压电路模块的第一输入端连接为低压电路模块提供一个低压域电源，输出单元的第二输出端与低压电路模块的第二输入端连接用于控制低压电路模块的使能与关断。本发明提高了芯片在disable时的隔离度，有效降低了芯片在disable状态下的漏电流。

本发明授权一种适用于高压LDO的低漏电流使能控制电路及方法在权利要求书中公布了：1.一种适用于高压LDO的低漏电流使能控制电路，其特征在于：包含偏置单元、关断单元和输出单元，偏置单元的输出端与关断单元的输入端连接为关断单元提供静态偏置电流，关断单元的输出端与输出单元的输入端连接为输出单元提供一个可控的高压域电源，输出单元的第一输出端与低压电路模块的第一输入端连接为低压电路模块提供一个低压域电源，输出单元的第二输出端与低压电路模块的第二输入端连接用于控制低压电路模块的使能与关断；所述关断单元包含PMOS管PM1、PMOS管PM2、PMOS管PM3、NMOS管NM0、NMOS管NM1、NMOS管NM2、齐纳二极管Z0、齐纳二极管Z1、齐纳二极管Z2、齐纳二极管Z3和电阻R0，PMOS管PM1的源极与齐纳二极管Z2的阴极、PMOS管PM2的源极、齐纳二极管Z3的阴极和PMOS管PM3的源极连接并连接电源HVDD，PMOS管PM1的栅极与齐纳二极管Z2的阳极和PMOS管PM2的栅极连接，PMOS管PM1的漏极与NMOS管NM2的漏极、NMOS管NM2的栅极、NMOS管NM1的栅极和齐纳二极管Z1的阴极连接，PMOS管PM2的漏极与齐纳二极管Z3的阳极、PMOS管PM3的栅极和NMOS管NM1的漏极连接并产生电压信号net1，PMOS管PM3的漏极作为关断单元的输出端，NMOS管NM1的源极与NMOS管NM0的漏极连接，NMOS管NM0的栅极与电阻R0的一端和齐纳二极管Z0的阴极连接，电阻R0的另一端连接使能信号EN，NMOS管NM2的源极、齐纳二极管Z1的阳极、齐纳二极管Z0的阳极和NMOS管NM0的源极接地。

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