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龙图腾网恭喜武汉理工大学三亚科教创新园申请的专利一种碳辅助刻蚀多孔硅碳的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119495737B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510065542.5，技术领域涉及：H01M4/38；该发明授权一种碳辅助刻蚀多孔硅碳的制备方法及其应用是由麦立强;周亮;安琴友;刘金帅;余若瀚;张磊设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳辅助刻蚀多孔硅碳的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳辅助刻蚀多孔硅的制备方法及其应用，涉及电池材料领域。该方法包括以下步骤：（1）将废旧光伏硅片通过超声处理进行清洁，得到预处理硅片；（2）将步骤（1）预处理硅片和碳源材料进行反应，得到硅碳复合材料；（3）将步骤（2）硅碳复合材料进行蚀刻，得到多孔硅碳混合物；（4）将步骤（3）多孔硅碳混合物真空过滤，干燥，得到最终产品。本发明制备的多孔硅材料应用于锂离子电池负极材料，表现出优异的电化学性能，具有高比容量、良好的循环稳定性和优异的倍率性能，而且工艺简单、成本低廉。

本发明授权一种碳辅助刻蚀多孔硅碳的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种碳辅助刻蚀多孔硅碳的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将废旧光伏硅片通过超声处理进行清洁，得到预处理硅片；（2）将步骤（1）预处理硅片和碳源材料进行反应，得到硅碳复合材料；（3）将步骤（2）硅碳复合材料进行蚀刻，得到多孔硅碳混合物；（4）将步骤（3）多孔硅碳混合物真空过滤，干燥，得到最终产品；步骤（2），所述碳源材料为纳米碳球、碳纳米管、石墨烯、活性炭中的一种或两种以上，步骤（2）具体步骤为：将预处理硅片和碳源材料按照质量比1:0.08~0.12进行球磨，球磨过程使用二氧化锆球和球磨罐进行，二氧化锆球与材料的质量比为30~50:1，以300~500rpm球磨10~15h，得到硅碳复合材料；步骤（3），所述蚀刻的方法为使用溶液法进行蚀刻；所述蚀刻使用蚀刻溶液含有氢氟酸和氧化剂，所述氢氟酸和氧化剂的体积比为3:0.5~1.5，所述氧化剂为H2O2、HNO3中至少一种；当使用溶液法时，所述蚀刻的具体步骤为：将步骤（2）硅碳复合材料分散到有机溶剂中，所述有机溶剂为乙醇或异丙醇，所述硅碳复合材料和有机溶剂的料液比gmL为1:40~50，20~30℃搅拌混合30~40min，得到Si-C悬浮液，将蚀刻溶液引入Si-C悬浮液中，预搅拌3~8min，然后进行蚀刻1.5~2.5h，得到二维多孔硅碳混合物。

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