恭喜中国科学院力学研究所吴松获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院力学研究所申请的专利一种耐冲刷铂膜热流传感器制备装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115371940B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210950681.2，技术领域涉及：G01M9/04；该发明授权一种耐冲刷铂膜热流传感器制备装置是由吴松;喻江设计研发完成，并于2022-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种耐冲刷铂膜热流传感器制备装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种耐冲刷铂膜热流传感器制备装置，包括：等离子发生腔体组件，用于产生高密度的等离子体；薄膜沉积腔体，薄膜沉积腔体连接在等离子发生腔体组件的等离子体的输出端；沉积台，设置在薄膜沉积腔体的内部，沉积台用于放置铂膜热流传感器主体，使铂膜热流传感器主体的表面和薄膜沉积腔体的轴向之间存在锐角夹角；内涵道，用于提供与等离子体进行化学沉积反应的原料介质；保护气供气系统，用于向等离子发生腔体组件和薄膜沉积腔体内提供保护气环境。本发明在具备柔性基底的铂膜热流传感器的表面通过PECVD进行氮化硅薄膜生长，并对其的微观生长结构进行主动干涉，从而获得适用于高超声速激波风洞的耐冲刷铂膜热流传感器。
本发明授权一种耐冲刷铂膜热流传感器制备装置在权利要求书中公布了：1.一种耐冲刷铂膜热流传感器制备装置，其特征在于，包括：等离子发生腔体组件1，用于产生高密度的等离子体；薄膜沉积腔体2，所述薄膜沉积腔体2连接在所述等离子发生腔体组件1的等离子体的输出端；沉积台3，设置在所述薄膜沉积腔体2的内部，所述沉积台3用于放置铂膜热流传感器主体4，使所述铂膜热流传感器主体4的表面和所述薄膜沉积腔体2的轴向之间存在锐角夹角；内涵道5，设置在所述薄膜沉积腔体2和所述等离子发生腔体组件1连接处，所述内涵道5用于提供与所述等离子体进行化学沉积反应的原料介质，并沿所述薄膜沉积腔体2的轴向进行传输；保护气供气系统，构建在所述等离子发生腔体组件1和薄膜沉积腔体2上，用于向所述等离子发生腔体组件1和所述薄膜沉积腔体2内提供保护气环境。
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