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龙图腾网恭喜硅能光电半导体(广州)有限公司申请的专利一种单面发光的CSP LED的封装工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274981B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210819742.1，技术领域涉及：H10H20/853；该发明授权一种单面发光的CSP LED的封装工艺是由郭政伟;肖浩;滕翼龙;刘娟;包优赈;邱猛设计研发完成，并于2022-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单面发光的CSP LED的封装工艺在说明书摘要公布了：本发明公开一种单面发光的CSPLED的封装工艺，包括以下步骤：提供晶圆片，所述晶圆片包括若干个顶面带有电极的LED正装芯片，在所述电极上种植导电柱；在所述LED正装芯片的顶面覆盖一层高导热高反射层，所述高导热高反射层将所述LED正装芯片顶面未种植所述导电柱的区域覆盖；将所述导电柱进行热压；切割所述晶圆片，倒膜得到单颗的LED倒装结构芯片；提供置晶板，在所述置晶板表面贴附一层荧光膜，将所述LED倒装结构芯片固晶于所述荧光膜上；在相邻的所述LED倒装结构芯片设置反光层，所述反光层将相邻的所述LED倒装结构芯片之间的间隙填充且与所述高导热高反射层连接；在相邻的所述LED倒装结构芯片之间进行切割，倒膜得到单颗单面发光的CSPLED的产品。

本发明授权一种单面发光的CSP LED的封装工艺在权利要求书中公布了：1.一种单面发光的CSPLED的封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供晶圆片，所述晶圆片包括若干个顶面带有电极的LED正装芯片，在所述LED正装芯片的电极上种植导电柱；S2：在所述LED正装芯片的顶面覆盖一层高度低于所述导电柱的高导热高反射层，所述高导热高反射层将所述LED正装芯片顶面未种植所述导电柱的区域覆盖；S3：将所述导电柱凸出于所述高导热高反射层的部分热压成扁平状，使得所述导电柱至少将所述高导热高反射层顶面的部分覆盖；S4：在相邻的所述LED正装芯片之间进行切割，倒膜得到单颗的LED倒装结构芯片；S5：提供置晶板，在所述置晶板表面贴附一层荧光膜，将制作好的多颗所述LED倒装结构芯片电极朝上间隔固晶于所述荧光膜上；S6：在相邻的所述LED倒装结构芯片之间喷射反光胶，形成反光层，所述反光层将相邻的所述LED倒装结构芯片之间的间隙填充且与所述高导热高反射层连接成一个整体；S7：在相邻的所述LED倒装结构芯片之间进行切割，倒膜得到单颗单面发光的CSPLED；其中，所述高导热高反射层包括透明硅胶和白色氧化物，所述白色氧化物选自氧化铝、氧化锆、二氧化钛或二氧化硅中的一种或多种，所述高导热高反射层的厚度为20～50um；所述反光层包括透明硅胶和白色氧化物，所述白色氧化物选自氧化铝、氧化锆、二氧化钛或二氧化硅中的一种或多种；所述导电柱被热压后，所述LED正装芯片表面所覆盖的所述高导热高反射层表面50％-80％被所述导电柱覆盖，所述导电柱未被热压前的轴向截面直径为75～200um。

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