恭喜武汉高芯科技有限公司黄立获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉高芯科技有限公司申请的专利焦平面芯片及其制备方法、制冷光子型焦平面红外探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639693B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210090768.7，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权焦平面芯片及其制备方法、制冷光子型焦平面红外探测器是由黄立;严冰;张冰洁设计研发完成，并于2022-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本焦平面芯片及其制备方法、制冷光子型焦平面红外探测器在说明书摘要公布了：焦平面芯片及其制备方法、制冷光子型焦平面红外探测器。本发明涉及一种集成式偏振制冷光子型焦平面芯片，包括读出电路、填充层、光敏层和偏振光栅，填充层包括延伸至光敏层侧方的延伸区，延伸区上具有第一对位游标，基于第一对位游标与偏振光栅上的第二对位游标的对准完成偏振光栅与光敏像元结构之间的对位。相应地还提供一种集成式偏振制冷光子型焦平面芯片的制备方法及配置有上述焦平面芯片的制冷光子型焦平面红外探测器。本发明通过在填充层上形成的第一对位游标与偏振光栅上的第二对位游标对位，能显著地提高偏振光栅与红外焦平面之间的对位精度，相比于传统的电路端游标对位方式，能避免偏振光栅与电路端二次对准带来的精度误差，而且能减少由于大高度景深带来的对位误差。
本发明授权焦平面芯片及其制备方法、制冷光子型焦平面红外探测器在权利要求书中公布了：1.一种集成式偏振制冷光子型焦平面芯片，其特征在于：包括层设的读出电路、填充层、光敏层和偏振光栅，所述读出电路中设有电路像元结构，所述光敏层中设有与所述电路像元结构连接的光敏像元结构，所述填充层包括填充所述光敏层与所述读出电路之间间隙的填充区以及延伸至光敏层侧方的延伸区，所述延伸区的面朝所述偏振光栅的面域上设有第一对位游标，所述第一对位游标为金属游标，所述偏振光栅的面朝所述延伸区的面域上设有第二对位游标，并且基于所述第一对位游标与所述第二对位游标的对准完成所述偏振光栅与所述光敏像元结构之间的对位连接。
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