恭喜西安微电子技术研究所王艳玲获国家专利权
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龙图腾网恭喜西安微电子技术研究所申请的专利基于CPS协同仿真的微系统PDN去耦网络优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113987999B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111277577.3，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权基于CPS协同仿真的微系统PDN去耦网络优化方法是由王艳玲;袁金焕;杨巧;杨宇军设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于CPS协同仿真的微系统PDN去耦网络优化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于CPS协同仿真的微系统PDN去耦网络优化方法，包括如下过程：建立芯片VCC的ECPM模型；提取TSV硅基板PDN的S参数模型、管壳PDN的S参数模型和PCB板PDN的S参数模型；根据所述芯片VCC的ECPM模型、TSV硅基板PDN的S参数模型、管壳PDN的S参数模型和PCB板PDN的S参数模型搭建PDN全路径分析电路；在所述PDN全路径分析电路中添加参数化电容模型；在添加了参数化电容模型的PDN全路径分析电路进行时域分析和电容优化，获得微系统PDN去耦网络的最终设计方案。本发明能够实现微系统PDN去耦网络的性能，保障PDN噪声的最小化。
本发明授权基于CPS协同仿真的微系统PDN去耦网络优化方法在权利要求书中公布了：1.基于CPS协同仿真的微系统PDN去耦网络优化方法，其特征在于，包括如下过程：建立芯片VCC的ECPM模型；提取TSV硅基板PDN的S参数模型；提取管壳PDN的S参数模型；提取PCB板PDN的S参数模型；根据所述芯片VCC的ECPM模型、TSV硅基板PDN的S参数模型、管壳PDN的S参数模型和PCB板PDN的S参数模型搭建PDN全路径分析电路；在所述PDN全路径分析电路中添加参数化电容模型；在添加了参数化电容模型的PDN全路径分析电路进行时域分析和电容优化，获得微系统PDN去耦网络的最终设计方案。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安微电子技术研究所，其通讯地址为：710065 陕西省西安市雁塔区太白南路198号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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