恭喜华邦电子股份有限公司庄哲辅获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜华邦电子股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312525B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110493679.2，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体结构及其形成方法是由庄哲辅;廖修汉设计研发完成，并于2021-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该方法包含：依序形成第一至第三牺牲层于基板上。基板包含存储器单元区域及周边区域。周边区域包含字线区域。移除字线区域中的第二及第三牺牲层，以暴露位于字线区域中的第一牺牲层的顶表面。移除字线区域中的第一牺牲层以及存储器单元区域中的第三牺牲层。在字线区域中形成字线介电层于基板上。形成第一导电层于字线介电层上。移除存储器单元区域中的第一及第二牺牲层。在存储器单元区域中形成穿隧介电层于基板上。穿隧介电层的厚度小于字线介电层的厚度。形成浮置栅极层于穿隧介电层上。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成一第一牺牲层于一基板上，其中所述基板包含一存储器单元区域及一周边区域，所述周边区域包括一字线区域；形成一第二牺牲层于所述第一牺牲层上；形成一第三牺牲层于所述第二牺牲层上；移除所述字线区域中的所述第三牺牲层及所述第二牺牲层，以暴露位于所述字线区域中的所述第一牺牲层的顶表面；移除所述字线区域中的所述第一牺牲层以及所述存储器单元区域中的所述第三牺牲层；在所述字线区域中形成一字线介电层于所述基板上；形成一第一导电层于所述字线介电层上；移除所述存储器单元区域中的所述第二牺牲层；移除所述存储器单元区域中的所述第一牺牲层；在所述存储器单元区域中形成一穿隧介电层于所述基板上，其中所述穿隧介电层的厚度小于所述字线介电层的厚度；以及形成一浮置栅极层于所述穿隧介电层上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华邦电子股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾台中市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号