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龙图腾网恭喜SP-AITH有限公司申请的专利磁器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114930531B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180008222.6，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权磁器件是由大沢裕一;與田博明;加藤侑志;與田朋美;岸达也设计研发完成，并于2021-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本磁器件在说明书摘要公布了：根据实施方式，磁器件包括第1元件、第1导电类型的第1晶体管、第2导电类型的第2晶体管以及第1～第3布线。第1元件包括第1导电部件和第1层叠体。第1导电部件包括第1部分、第2部分、以及第1部分与第2部分之间的第3部分。第1层叠体包括第1磁性层。第1晶体管包括第1端、第1另一端以及第1栅极。第2晶体管包括第2端、第2另一端以及第2栅极。第1另一端与第1部分电连接。第2另一端与第1磁性层电连接。第1布线与第2部分电连接。第2布线与第1栅极以及第2栅极电连接。第3布线与第1端以及第2端电连接。提供能够高密度化的磁器件。

本发明授权磁器件在权利要求书中公布了：1.一种磁器件，具备：第1元件；第2元件；第1晶体管，包括第1端、第1另一端以及第1栅极；第2晶体管，包括第2端、第2另一端以及第2栅极；以及第1～第6布线，所述第1元件以及所述第2元件的各个元件包括第1导电部件、第1层叠体以及第1二极管，所述第1导电部件包括第1部分、第2部分以及第3部分，所述第3部分在所述第1部分与所述第2部分之间，所述第1层叠体包括第1磁性层和设置于所述第3部分与所述第1磁性层之间的第1对置磁性层，所述第1二极管的阳极以及阴极的一方与所述第1磁性层电连接，所述第1另一端与所述第1元件的所述第1导电部件的所述第1部分电连接，所述第2另一端与所述第2元件的所述第1导电部件的所述第1部分电连接，所述第1布线与所述第1元件的所述第1导电部件的所述第2部分电连接，所述第2布线与所述第1栅极以及所述第2栅极电连接，所述第3布线与所述第1端以及所述第2端电连接，所述第4布线与所述第1元件的所述第1二极管的所述阳极以及所述阴极的另一方电连接，所述第5布线与所述第2元件的所述第1导电部件的所述第2部分电连接，所述第6布线与所述第2元件的所述第1二极管的所述阳极以及所述阴极的另一方电连接。

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