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龙图腾网恭喜扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利一种氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695112B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011638912.3，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法是由赵成;韩亚;孙越;王思元;王毅设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法在说明书摘要公布了：一种氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法，涉及氮化镓功率半导体器件。包括基板、过渡层、漂移层、有源区、漂移通道、场板和金属电极层；有源区包括依次相接的漂移层和有源区第一半导体层；有源区第一半导体层、漂移层和两个漂移通道构成一个环状的漂移区结构，相对于仅有横向漂移区的横向型氮化镓肖特基势垒二极管结构或者仅有垂直漂移区的垂直型氮化镓肖特基势垒二极管结构，漂移区的路径总长度大于制作在相同基板及外延层尺寸的横向型器件结构，由此增大氮化镓肖特基势垒二极管的阻断电压。本案具有提高器件的阻断电压，同时使阳极电极、阴极电极和场板电极汇集于器件结构的顶面，形成共面的器件输入输出电极结构，便于器件平面集成等特点。

本发明授权一种氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓肖特基势垒二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）准备基板；2）在基板上生长过渡层；3）在过渡层上生长漂移层；4）在漂移层上生长欧姆接触层；5）采用深反应离子干法刻蚀方法刻蚀欧姆接触层和漂移层，形成漂移通道内隔离层沟槽和漂移通道外隔离层沟槽；6）淀积绝缘氧化物填充漂移通道内隔离层沟槽和漂移通道外隔离层沟槽，形成漂移通道内隔离层和漂移通道外隔离层；7）刻蚀两个漂移通道内隔离层，形成场板沟槽；8）淀积场板金属层填充场板沟槽，形成场板；9）刻蚀两个漂移通道内隔离层之间的欧姆接触层和漂移层，形成有源区凹槽；10）在有源区凹槽内生长连通漂移层的有源区第一半导体层，并填充有源区凹槽；11）采用光刻方法形成用于制作场板绝缘层的光刻胶掩模层；12）淀积用于制作场板绝缘层的二氧化硅层或者氮化硅层；13）剥离方法形成场板绝缘层；14）采用光刻方法形成用于制作阳极电极的光刻胶掩模层；15）淀积阳极电极金属层；16）采用剥离方法形成阳极电极；17）采用光刻方法形成用于制作阴极电极、场板电极的光刻胶掩模层；18）淀积阴极电极、场板电极金属层，并采用剥离方法形成阴极电极和场板电极；19）退火方法形成阴极电极与相应半导体层的欧姆接触。

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