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恭喜ASMIP私人控股有限公司金大渊获国家专利权

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龙图腾网恭喜ASMIP私人控股有限公司申请的专利衬底支撑板、包括它的衬底处理设备以及衬底处理方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112992637B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011237367.7,技术领域涉及:H01J37/32;该发明授权衬底支撑板、包括它的衬底处理设备以及衬底处理方法是由金大渊;金材玹;李承桓设计研发完成,并于2020-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

衬底支撑板、包括它的衬底处理设备以及衬底处理方法在说明书摘要公布了:一种能够选择性地在其斜角区域中处理薄膜的衬底处理设备包括用于支撑待处理衬底的衬底支撑板,衬底支撑板包括:内部,其上表面的面积小于待处理衬底的面积;以及围绕内部的外围部分,其中外围部分的上表面在内部的上表面下方。

本发明授权衬底支撑板、包括它的衬底处理设备以及衬底处理方法在权利要求书中公布了:1.一种衬底处理设备,包括:衬底支撑板,包括内部,其上表面的面积小于待处理衬底的面积;以及围绕内部的外围部分,其中,所述外围部分的上表面在所述内部的上表面下方;以及衬底支撑板上的气体供应单元,所述气体供应单元包括直接面对所述衬底支撑板的电极表面,且RF功率施加到所述电极表面,其中,所述内部和气体供应单元之间的第一距离小于所述外围部分和气体供应单元之间的第二距离,其中,所述外围部分包括至少一个路径,其中,所述至少一个路径的一部分垂直于所述衬底支撑板的上表面从所述外围部分朝向衬底支撑板的上表面延伸;其中,所述气体供应单元供应至少第一气体,所述第一气体由从气体供应单元的中心下表面到边缘下表面的电极表面和衬底支撑板之间的电势差电离;其中,由于气体供应单元和衬底之间的第一距离内的电势差,来自气体供应单元的第一气体在气体供应单元的中心下表面处的自由基的产生被抑制,同时由于气体供应单元和衬底支撑板的外围部分之间的第二距离内的电势差,通过在气体供应单元的边缘下表面处的电极表面产生来自气体供应单元的第一气体的自由基,其中第二距离大于第一距离;其中,所述至少一个路径与外部腔室流体连通,以提供第二气体,所述第二气体包括F2、NF3、ClF3和Cl2中的至少一种;其中,在产生气体的自由基期间,第二气体通过所述至少一个路径向衬底的下边缘和衬底支撑板提供;以及其中,RF电力的大小和第一气体对第二气体的流量比被调节,以实现对称的斜角蚀刻。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人ASMIP私人控股有限公司,其通讯地址为:荷兰阿尔梅勒;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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