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龙图腾网恭喜意法半导体(鲁塞)公司申请的专利用于制造高电压电容性元件的工艺和对应的集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111668222B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010146917.8，技术领域涉及：H10B41/00；该发明授权用于制造高电压电容性元件的工艺和对应的集成电路是由A·马扎基设计研发完成，并于2020-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于制造高电压电容性元件的工艺和对应的集成电路在说明书摘要公布了：本文描述了用于制造高电压电容性元件的工艺和对应的集成电路。半导体衬底具有带有第一电介质区域的正面。电容性元件在正面处的第一电介质区域的表面上包括层堆叠，该层堆叠包括第一导电区域、第二导电区域和第三导电区域。第二导电区域通过第二电介质区域与第一导电区域电绝缘。第二导电区域进一步通过第三电介质区域与第三导电区域电绝缘。第一导电区域和第三导电区域形成电容性元件的一个板，并且第二导电区域形成电容性元件的另一板。

本发明授权用于制造高电压电容性元件的工艺和对应的集成电路在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括：半导体衬底，具有正面；浅槽隔离区域，在所述半导体衬底中；第一晶体管，由所述半导体衬底支撑；第二晶体管，由所述半导体衬底支撑，电容性元件，在所述浅槽隔离区域的顶部上：其中所述电容性元件包括第一导电区域、第二导电区域和第三导电区域，其中所述第一导电区域与所述浅槽隔离区域的上表面接触并且形成所述电容性元件的第一电极，所述第二导电区域形成所述电容性元件的第二电极，并且所述第三导电区域形成所述电容性元件的第三电极；其中所述第一晶体管包括延伸到所述半导体衬底中的垂直导电栅极；其中所述第二晶体管包括栅极，所述栅极包括在所述半导体衬底之上延伸的浮动栅极和控制栅极；第一电介质层，在所述电容性元件的所述第一导电区域和所述第二导电区域之间形成绝缘层，并且进一步在所述浮动栅极和所述半导体衬底之间形成绝缘层；第二电介质层，在所述电容性元件的所述第二导电区域和所述第三导电区域之间形成绝缘层，并且进一步在所述控制栅极和所述浮动栅极之间形成绝缘层；其中所述第三导电区域和所述控制栅极由公共导电层形成；其中所述第二导电区域和所述浮动栅极由公共导电层形成；以及其中所述第一导电区域和所述垂直导电栅极由公共导电层形成。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(鲁塞)公司，其通讯地址为：法国鲁塞；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。