买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜常熟理工学院申请的专利一种硅基叠层太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111261779B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010092810.X，技术领域涉及：H10K39/15；该发明授权一种硅基叠层太阳能电池及其制备方法是由刘玉申;况亚伟;张树德;魏青竹;倪志春;洪学鹍;钱洪强设计研发完成，并于2020-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基叠层太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅基叠层太阳能电池，包括底电池结构和层叠于底电池结构之上的顶电池结构，底电池结构包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底上表面的四周设置SiO2绝缘层，中间制备p型掺杂层，在p型掺杂层和n型单晶硅衬底的层叠区域刻蚀制备竖直方向的纳米孔周期阵列结构，n型单晶硅衬底的纳米孔内为空隙，n型单晶硅衬底的下表面设置金属薄膜层；顶电池结构由下至上依次包括TiO2薄膜层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电薄膜层和金属电极。本发明利用周期纳米孔阵列优异的光吸收和电荷传输性能，提高了底电池长波光子的利用效率，在兼容硅基电池工艺的同时提高了叠层太阳能电池的光电转换效率。

本发明授权一种硅基叠层太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基叠层太阳能电池，包括底电池结构和顶电池结构，其特征在于，所述顶电池结构层叠于所述底电池结构之上，所述底电池结构包括n型单晶硅衬底，所述n型单晶硅衬底上表面的四周设置SiO2绝缘层以在所述n型单晶硅衬底的中央区域形成受光窗口，所述受光窗口区域的所述n型单晶硅衬底上制备p型掺杂层，在所述p型掺杂层和所述n型单晶硅衬底的层叠区域刻蚀制备竖直方向的纳米孔周期阵列结构，所述纳米孔周期阵列结构的周期为600~1200nm，所述纳米孔周期阵列结构的纳米孔的直径为400~600nm，深度为400~800nm，所述纳米孔周期阵列结构的占空比为13~23，所述n型单晶硅衬底的纳米孔内为空隙，所述n型单晶硅衬底的下表面设置金属薄膜层；所述顶电池结构由下至上依次包括TiO2薄膜层、钙钛矿吸收层、空穴传输层、透明导电薄膜层和金属电极；所述金属电极和所述金属薄膜层分别引出作为导电电极对外电路供电，所述TiO2薄膜层厚度为50~300nm，所述钙钛矿吸收层的厚度为100~500nm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人常熟理工学院，其通讯地址为：215500 江苏省苏州市常熟市南三环路99号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。