恭喜浙江翠展微电子有限公司唐卓凡获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江翠展微电子有限公司申请的专利一种高功率密度混合灌封SIC模块获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119997471B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510467437.4,技术领域涉及:H05K7/20;该发明授权一种高功率密度混合灌封SIC模块是由唐卓凡;欧东赢;吴瑞;彭昊设计研发完成,并于2025-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高功率密度混合灌封SIC模块在说明书摘要公布了:本发明涉及功率模块技术领域,特别涉及一种高功率密度混合灌封SIC模块。所述高功率密度混合灌封SIC模块包括散热基板,芯片组件,以及外壳组件。散热柱组件包括第一散热柱,第二散热柱,以及第三散热柱。通过位于中心线上的所述第二散热柱和位于两侧的所述第二散热柱强制将冷却液导向所述芯片下方,确保冷却液充分覆盖高发热区域,避免冷却液在边缘区域无效循环,确保冷却资源的高效利用。所述外壳组件包括外壳,液态环氧,以及硅凝胶。所述外壳的内侧壁上设置有一圈缓冲区,所述液态环氧流入所述缓冲区中。缓冲区延缓了湿气沿界面渗透的路径,将单一方向的应力分解为多个方向的微小形变,解决了功率模块在高温高湿环境下易分层可靠性差的问题。
本发明授权一种高功率密度混合灌封SIC模块在权利要求书中公布了:1.一种高功率密度混合灌封SIC模块,所述高功率密度混合灌封SIC模块与一个开设有水道的散热底座相配合,通过流动的冷却液进行换热将芯片热量带走,其特征在于:所述高功率密度混合灌封SIC模块包括一个散热基板,一个设置在所述散热基板上的芯片组件,以及一个设置在所述散热基板上的外壳组件,所述散热基板在背向所述芯片组件的一侧设置有散热柱组件,所述散热柱组件包括至少两个设置在所述散热基板上的第一散热柱,多个设置在所述散热基板上的第二散热柱,以及多个阵列设置在所述散热基板上的第三散热柱,所述第一散热柱呈长条形且延伸方向平行于冷却液的流动方向,两个所述第一散热柱位于所述散热基板两侧,两个所述第一散热柱的排列方向垂直于冷却液的流动方向,两个所述第一散热柱相向的一端呈锯齿状,所述第二散热柱设置在所述散热基板的中心线上和所述散热基板的两侧,所述外壳组件包括一个设置在所述散热基板上的外壳,一个设置在所述外壳内的液态环氧,以及一个设置在所述外壳内的硅凝胶,所述外壳的内侧壁上设置有一圈缓冲区,所述缓冲区包括一个设置在所述外壳的内侧壁上的第一缓冲槽,以及一个与所述第一缓冲槽连接的第二缓冲槽,所述第一缓冲槽一端与所述外壳的内侧壁连通,另一端与所述第二缓冲槽连接,所述第二缓冲槽的一端与所述外壳的底部连通,在灌封时所述液态环氧流入所述缓冲区中,先灌封所述液态环氧填充所述芯片组件,再覆盖灌封所述硅凝胶。
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