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龙图腾网恭喜上海晟联科半导体有限公司申请的专利差分源跟随电路及其电压增益调节方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119788009B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510279707.9，技术领域涉及：H03F3/45；该发明授权差分源跟随电路及其电压增益调节方法是由徐丹丰;程子川;邱瑞恒设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本差分源跟随电路及其电压增益调节方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种差分源跟随电路及其电压增益调节方法，其中的差分源跟随电路包括差分电路部分、偏置电路部分以及辅助放大电路部分；其中，所述偏置电路部分用于为所述差分电路部分提供相应的直流工作点；所述辅助放大电路部分用于为所述差分电路部分提供辅助放大；所述差分电路部分用于基于所述偏置电路部分以及所述辅助放大电路部分，对两个差分输入信号进行差分放大处理，以形成两个差分输出信号。本发明提供的差分源跟随电路能够解决现有技术中的传统的源跟随器电压增益值过小且无法调节的问题。

本发明授权差分源跟随电路及其电压增益调节方法在权利要求书中公布了：1.一种差分源跟随电路，其特征在于，包括差分电路部分、偏置电路部分以及辅助放大电路部分；其中， 所述偏置电路部分用于为所述差分电路部分提供相应的直流工作点； 所述辅助放大电路部分用于为所述差分电路部分提供辅助放大； 所述差分电路部分用于基于所述偏置电路部分以及所述辅助放大电路部分，对两个差分输入信号进行差分放大处理，以形成两个差分输出信号；其中， 所述差分电路部分与所述偏置电路部分相连，所述差分电路部分、所述偏置电路部分以及所述辅助放大电路部分均分别包括两个晶体管；其中，所述差分电路部分的两个晶体管和所述偏置电路部分的两个晶体管为PMOS晶体管，所述辅助放大电路部分的两个晶体管为NMOS晶体管；或者，所述差分电路部分的两个晶体管和所述偏置电路部分的两个晶体管为NMOS晶体管，所述辅助放大电路部分的两个晶体管为PMOS晶体管；并且， 所述差分电路部分包括的两个晶体管分别与所述辅助放大电路部分的两个晶体管一一对应成组；其中，成组的两个晶体管的漏极相连，非成组的两个晶体管的栅极相连后与对应的差分输入信号相连；所述差分电路部分的两个晶体管的源极分别与对应的差分输出信号相连。

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