买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉晶铁半导体技术(广东)有限公司申请的专利基于9T1C结构的存储单元及其操作方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118692531B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410738266.X，技术领域涉及：G11C11/413；该发明授权基于9T1C结构的存储单元及其操作方法、存储器是由张盛;马月;郭江华设计研发完成，并于2024-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于9T1C结构的存储单元及其操作方法、存储器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于9T1C结构的nvsram存储单元及操作方法、存储器，包括6T结构和3T1C结构，其中6T结构是SRAM的基本存储单元，用于数据0或1的数据输入与存储；3T1C结构用于在6T结构断电时执行数据备份操作，存储6T结构中的数据，在6T结构恢复通电后对所述6T结构进行数据恢复，重新将数据写回到6T结构的存储单元中，通过NMOS管控制板线信号PL，在该结构下工作时可以避免PL信号对铁电电容造成的影响，保证铁电电容的稳定性降低功耗，通过在SRAM的存储节点处用NMOS管将NVM和SRAM隔离开，避免了直流短路电流的问题，NVM对SRAM的影响比较小，降低存储功耗，同时保证SRAM工作模式的稳定性。在SRAM的QNQ处都增加了NMOS管，保持了SRAM存储单元的对称性，避免mismatch问题。

本发明授权基于9T1C结构的存储单元及其操作方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种基于9T1C结构的nvsram存储单元，其特征在于，包括6T结构和3T1C结构，其中6T结构是SRAM的基本存储单元，用于数据0或1的数据输入与存储；3T1C结构用于在6T结构断电时执行数据备份操作，存储6T结构中的数据，在6T结构恢复通电后对所述6T结构进行数据恢复，重新将数据写回到6T结构的存储单元中， 所述3T1C结构包括第一开关晶体管（NM1）、第二开关晶体管（NM2）、第三开关晶体管（NM3）及铁电电容（Cfe）， 第一开关晶体管（NM1）的源极连接6T结构的第一存储点（NQ），第一开关晶体管（NM1）的栅极电连接VRCL线，VRCL线用于给第一开关晶体管（NM1）的栅极提供电压，第一开关晶体管（NM1）的漏极电连接所述铁电电容（Cfe）一端，所述铁电电容（Cfe）另一端连接所述第二开关晶体管（NM2）的漏极以及第三开关晶体管（NM3）的漏极，所述第二开关晶体管（NM2）的源极电连接所述6T结构的第二存储点（Q），所述第二开关晶体管（NM2）的栅极电连接VNP线，所述VNP线用于给第二开关晶体管（NM2）提供栅极电压；所述第三开关晶体管（NM3）的源极电连接VCCI线，所述VCCI线用于给第三开关晶体管（NM3）提供源极电压，所述第三开关晶体管（NM3）的栅极电连接VBP线，所述VBP线用于给第三开关晶体管（NM3）提供栅极电压；第一开关晶体管（NM1）用于将所述6T结构的第二存储点（Q）信息传给所述铁电电容（Cfe）一端，第二开关晶体管（NM2）用于将所述6T结构的第二存储点（Q）信息传给所述铁电电容（Cfe）另一端，所述第三开关晶体管（NM3）用于数据恢复的开关操作。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶铁半导体技术(广东)有限公司，其通讯地址为：510000 广东省广州市黄埔区香雪八路98号F栋402房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。