台湾积体电路制造股份有限公司周家玥获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222980506U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421187189.5，技术领域涉及：H01L23/64；该实用新型半导体装置是由周家玥;陈玟慈;张文苓;沈香谷;唐宇;江淳修;蔡欣宏;李昆育;侯承浩;陈殿豪;余立中设计研发完成，并于2024-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置，包括具有一个或多个半导体装置的基板。在一些实施例中，该装置还包括设置在一个或多个半导体装置上方的第一钝化层以及形成在第一钝化层上方的金属‑绝缘体‑金属MIM电容器结构。在一些实施例中，MIM电容器结构包括第一导体板层、第一导体板层上的绝缘体层、以及绝缘体层上的第二导体板层。在一些示例中，绝缘体层包括金属氧化物夹层结构。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一基板，该基板包括一个或多个半导体装置； 一第一钝化层，设置在所述一个或多个半导体装置上方；以及 一金属-绝缘体-金属电容器结构，形成在该第一钝化层上方，其中该金属-绝缘体-金属电容器结构包括一第一导体板层、该第一导体板层上的一绝缘体层以及该绝缘体层上的一第二导体板层，并且其中该绝缘体层包括一金属氧化物夹层结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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