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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利背接触异质结电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118431349B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410514382.3，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权背接触异质结电池的制备方法是由殷志豪;李宏伟;杨广涛;陈达明设计研发完成，并于2024-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本背接触异质结电池的制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及太阳能电池的技术领域，具体提供一种背接触异质结电池的制备方法，旨在解决现有背接触异质结太阳能电池制备过程中容易损伤材料层的问题。为此目的，本公开提供的背接触异质结太阳能电池的制备方法包括：在第一区域上依次形成第一本征钝化层结构、第一掺杂层结构以及第一保护层结构；在第三区域以及第二区域上依次形成第二本征钝化层结构和第二掺杂层结构；去除位于的第三区域之外的第一区域上的第一保护层结构。在第一掺杂层上设置第一保护层，对第二掺杂层和第二本征钝化层进行刻蚀的过程中，第一保护层结构能够保护第一掺杂层结构，避免第一掺杂层结构产生损伤。

本发明授权背接触异质结电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背接触异质结电池的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括第一表面，所述第一表面包括第一区域、第二区域以及位于所述第一区域上且临近所述第二区域的第三区域； 在所述第一区域上依次形成第一本征钝化层结构、为第一掺杂类型的第一掺杂层结构以及第一保护层结构，并且露出位于所述第二区域上的所述第一表面； 在所述第一保护层结构以及位于所述第二区域上的所述第一表面上依次形成第二本征钝化层、为第二掺杂类型的第二掺杂层和第二保护层；对所述第二保护层进行图案化，形成覆盖所述第二区域和第三区域的第二保护层结构；对所述第二本征钝化层和所述第二掺杂层进行图案化，在所述第三区域以及所述第二区域上依次形成第二本征钝化层结构和为第二掺杂类型的第二掺杂层结构，并且露出位于所述第三区域之外的所述第一区域上的所述第一保护层结构，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反； 去除位于所述的第三区域之外的所述第一区域上的所述第一保护层结构； 去除位于所述第三区域上的所述第一本征钝化层结构、所述第一掺杂层结构、所述第一保护层结构、所述第二本征钝化层结构和所述第二掺杂层结构。

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