恭喜捷捷微电(南通)科技有限公司王友伟获国家专利权
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龙图腾网恭喜捷捷微电(南通)科技有限公司申请的专利一种屏蔽栅沟槽器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864680B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210552550.9，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种屏蔽栅沟槽器件及其制作方法是由王友伟;徐雷军;王成森设计研发完成，并于2022-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种屏蔽栅沟槽器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种屏蔽栅沟槽器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一外延片，其中，外延片包括沟槽，再基于沟槽生长场板氧化层，然后对沟槽进行多晶填充，直至填充的多晶高于外延片的台面，再对多晶平坦化后刻蚀沟槽内部分多晶与场板氧化层，以在沟槽内形成第一多晶层，然后沿沟槽内壁生长缓冲氧化层，沿缓冲氧化层的表面沉积HighK材料层，然后基于HighK材料层的表面进行多晶填充，再对沟槽内的多晶进行刻蚀，并保留HighK材料层表面的多晶，最后将HighK材料层表面的多晶氧化，并沿沟槽沉积多晶，以形成第二多晶层。本申请具有器件应力小、电容效应低的优点。
本发明授权一种屏蔽栅沟槽器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽器件制作方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一外延片，其中，所述外延片包括沟槽； 基于所述沟槽生长场板氧化层； 对所述沟槽进行多晶填充，直至填充的多晶高于所述外延片的台面； 对多晶平坦化后刻蚀沟槽内部分多晶与场板氧化层，以在所述沟槽内形成第一多晶层； 沿沟槽内壁生长缓冲氧化层； 沿所述缓冲氧化层的表面沉积HighK材料层； 基于所述HighK材料层的表面进行多晶填充； 对沟槽内的多晶进行刻蚀，并保留HighK材料层表面的多晶； 将所述HighK材料层表面的多晶氧化，并沿沟槽沉积多晶，以形成第二多晶层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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