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龙图腾网恭喜山东华芯半导体有限公司申请的专利一种基于MRAM缓存的混合型NVME SSD存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114822630B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210408167.6，技术领域涉及：G11C11/401；该发明授权一种基于MRAM缓存的混合型NVME SSD存储系统是由刘奇浩;沈力;李瑞东设计研发完成，并于2022-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于MRAM缓存的混合型NVME SSD存储系统在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于MRAM缓存的混合型NVMESSD存储系统，包括SSD控制器、易失存储层和非易失存储层，SSD控制器包括PCIe接口、NVME命令解析器、FTL映射管理器、NAND控制器、MRAM控制器和DRAM控制器，易失存储层包括外置DRAM，非易存储层包括外置NAND和外置MRAM，PCIe接口、NVME命令解析器、FTL映射管理器依次连接，NAND控制器、MRAM控制器和DRAM控制器均与FTL映射管理器相连，外置DRAM与DRAM控制器相连，外置NAND与NAND控制器相连，外置MRAM与MRAM控制器相连。本发明可以提高NVMESSD控制器随机性能及可靠性，保障数据安全，解决掉电保护问题，减少掉电恢复时间。

本发明授权一种基于MRAM缓存的混合型NVME SSD存储系统在权利要求书中公布了：1.一种基于MRAM缓存的混合型NVMESSD存储系统，其特征在于：包括SSD控制器、易失存储层和非易失存储层，SSD控制器包括PCIe接口、NVME命令解析器、FTL映射管理器、NAND控制器、MRAM控制器和DRAM控制器，易失存储层包括外置DRAM，非易存储层包括外置NAND和外置MRAM，PCIe接口、NVME命令解析器、FTL映射管理器依次连接，NAND控制器、MRAM控制器和DRAM控制器均与FTL映射管理器相连，外置DRAM与DRAM控制器相连，外置NAND与NAND控制器相连，外置MRAM与MRAM控制器相连；PCIe接口用于与上层应用层进行数据传输，NVME命令解析器用于处理NVME协议并完成在非易失存储层中的外置MRAM中管理SSD控制器内部的存储缓冲区CMB以及永久性内存区PMR的创建和使用；FTL映射管理器负责维护易失存储层和非易失存储层的逻辑块地址LBA到存储介质物理块地址PBA的映射关系；外置DRAM用来存放读数据缓存、FTL映射表，外置NAND用于存放普通应用中的用户数据以及FTL映射表，外置MRAM用于存放CMB数据、PMR数据、写数据缓存、FTL映射表变化量Delta和Log数据；在使用外置DRAM易失存储层时，FTL映射管理器将FTL映射表、读数据缓存通过DRAM控制器放在外置DRAM中；在使用非易失存储层中的MRAM存储区时，FTL映射管理器将写数据缓存、Delta数据、Log数据通过MRAM控制器放在外置MRAM中；在使用非易失存储层中的NANDFLASH存储区时，FTL映射管理器将用户数据通过NAND控制器放在外置NAND中；外置MRAM中设有永久性内存区PMR，永久性内存区PMR通过NVME协议进行管理，采用MRAM介质实现按1248字节读写。

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