恭喜长鑫存储技术有限公司黄武林获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体制造设备及半导体制造设备腔室沉积物清除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621108B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110806045.8，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权半导体制造设备及半导体制造设备腔室沉积物清除方法是由黄武林设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体制造设备及半导体制造设备腔室沉积物清除方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体制造设备，包括：腔室，包括内腔室、外腔室和连通内腔室与外腔室的通道，通道位于内腔室与腔室侧壁之间；一个或多个电极，设置在腔室侧壁中，用于电离来自内腔室的处理气体以产生等离子体，以清除内腔室中产生的沉积物。本申请提出的技术方案通过在半导体制造设备腔室内设置电极，电极激发处理气体产生等离子体，等离子体对腔室内的沉积物进行刻蚀和清洗,缓解了传统刮除清除方法对设备、工作环境及人员带来的不利影响。
本发明授权半导体制造设备及半导体制造设备腔室沉积物清除方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体制造设备，其特征在于，包括： 腔室，包括内腔室、外腔室和连通所述内腔室与所述外腔室的通道，所述通道位于所述内腔室与所述腔室侧壁之间； 一个或多个电极，设置在所述腔室侧壁中，用于电离来自所述内腔室的处理气体以产生等离子体，以清除所述内腔室中产生的沉积物； 隔离环，设置在所述腔室侧壁上且位于所述通道中，用于隔离所述沉积物对所述腔室侧壁的污染； 其中，所述隔离环为环绕设置于所述腔室侧壁的圆环，所述隔离环的纵截面的形状为上短下长的C字型，所述隔离环的下端的长度大于或等于所述内腔室的边缘到所述腔室侧壁的距离，所述隔离环的下端从所述腔室侧壁向内突出到所述通道内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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