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龙图腾网恭喜意法半导体股份有限公司申请的专利对相变存储器设备编程的方法、存储器设备和电子系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112151094B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010591910.7，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权对相变存储器设备编程的方法、存储器设备和电子系统是由F·E·C·迪塞格尼;F·戈勒尔;C·托尔蒂;M·卡里希米;E·卡尔维蒂设计研发完成，并于2020-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本对相变存储器设备编程的方法、存储器设备和电子系统在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及对相变存储器设备编程的方法、存储器设备和电子系统。一种用于对差分类型的相变存储器设备进行编程的方法，包括：在第一编程模式中，在第一时间间隔期间，向将要利用所述第一编程电流而被编程的所有直接和互补存储器单元，供应相同的第一编程电流，第一编程电流是具有在SET电流和RESET电流之间选取的一类型；以及在第二编程模式中，在第二时间间隔期间，向将要利用所述第二编程电流而被编程的所有直接和互补存储器单元，供应相同的第二编程电流，第二编程电流是具有在SET电流和RESET电流之间选取的另一类型，由此在仅两个时间步骤中完成逻辑字在存储器设备中的写入。

本发明授权对相变存储器设备编程的方法、存储器设备和电子系统在权利要求书中公布了：1.一种用于对相变存储器设备进行编程的方法，所述相变存储器设备包括存储器阵列，所述存储器阵列包括多个第一部分，每个第一部分被提供有第一局部位线，所述第一局部位线被连接到第一存储器单元，所述第一存储器单元适于存储相应的第一逻辑数据，所述第一逻辑数据包括与所述第一存储器单元的第一电阻状态相关联的第一逻辑位、以及与所述第一存储器单元的第二电阻状态相关联的第二逻辑位，所述存储器阵列还包括相应的多个第二部分，每个第二部分被提供有第二局部位线，所述第二局部位线被连接到第二存储器单元，所述第二存储器单元适于存储与所述第一逻辑数据互补的相应的第二逻辑数据；所述相变存储器设备还包括：用于将所述逻辑数据写入在所述第一存储器单元和所述第二存储器单元中的写入级，所述写入级具有多个第一编程驱动器、以及相应的多个第二编程驱动器；在相应的第一编程驱动器与相应的第一部分的所述第一局部位线之间延伸的多个第一主位线；以及在相应的第二编程驱动器与相应的第二部分的所述第二局部位线之间延伸的多个第二主位线，所述方法包括： 在第一编程模式中，通过所述多个第一编程驱动器和所述多个第二编程驱动器并且在第一时间间隔期间，将相同的第一编程电流供应给将要利用所述第一编程电流进行编程的所有所述第一存储器单元和所述第二存储器单元，所述第一编程电流是在置位电流和复位电流之间被选取的一类型；以及 在第二编程模式中，通过所述多个第一编程驱动器和所述多个第二编程驱动器并且在第二时间间隔期间，将相同的第二编程电流供应给将要利用所述第二编程电流进行编程的所有所述第一存储器单元和所述第二存储器单元，所述第二编程电流是在所述置位电流和所述复位电流之间被选取的另一类型，由此完成逻辑字在所述存储器阵列中的写入。

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