恭喜湖南虹安微电子有限责任公司白羽获国家专利权
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龙图腾网恭喜湖南虹安微电子有限责任公司申请的专利沟槽型MOSFET晶圆的掩模版获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223022529U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422243091.3，技术领域涉及：G03F1/38；该实用新型沟槽型MOSFET晶圆的掩模版是由白羽设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽型MOSFET晶圆的掩模版在说明书摘要公布了：本实用新型实施例公开的沟槽型MOSFET晶圆的掩模版，包括：掩膜基板；光刻图案，设置于掩膜基板上，光刻图案用于光刻时在晶圆上形成沟槽层；光刻图案包括第一沟槽图案和第二沟槽图案，第一沟槽图案内包含多条间隔设置的第一线条，第一线条沿第一方向延伸，第二沟槽图案内包含多条间隔设置的第二线条，第二线条沿第二方向延伸，第一方向与第二方向相垂直。本实施例提供的掩模版由两种图形，且两种图形分别为横向沟槽图案和纵向沟槽图案组成，从而通过本实施例提供的掩模版光刻得到的晶圆可以同时具备横向沟槽和纵向沟槽，降低了晶圆在加工过程中的内应力，减小了晶圆翘曲度，便于晶圆生产，还降低了破片的风险，便于其他图层布局，避免影响晶圆光刻后的源极面积。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南虹安微电子有限责任公司，其通讯地址为：410000 湖南省长沙市高新开发区麓枫路61号湘麓国际花园二期酒店、公寓2509；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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