西安电子科技大学马晓华获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于栅下场调制的低压终端器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725194B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210148227.5，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权一种基于栅下场调制的低压终端器件及其制备方法是由马晓华;陈怡霖;朱青;张濛;郭思音;田晓坤;宓珉瀚设计研发完成，并于2022-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于栅下场调制的低压终端器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于栅下场调制的低压终端器件及其制备方法，器件包括：衬底层；缓冲层，位于衬底层上；沟道层，位于缓冲层上；源极，位于沟道层的一端；漏极，位于沟道层的另一端；插入层，位于沟道层上，且位于源极和漏极之间；势垒层，位于插入层上；其中，沿着栅宽方向，在势垒层、插入层和沟道层内间隔设置有若干凹槽，凹槽的底部位于沟道层内；钝化层，位于势垒层上，沿着栅宽方向，设置有贯穿钝化层的栅槽，且若干凹槽位于栅槽下；栅极，位于若干凹槽和栅槽中，以及部分钝化层的表面；凹槽靠近源极的边长大于其靠近漏极的边长。本发明的器件通过形成非对称的发散形纳米沟道，能减小本征膝点电压，在较低的工作电压下以实现更大的输出功率。
本发明授权一种基于栅下场调制的低压终端器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于栅下场调制的低压终端器件，其特征在于，包括： 衬底层； 缓冲层，位于所述衬底层上； 沟道层，位于所述缓冲层上； 源极，位于所述沟道层的一端； 漏极，位于所述沟道层的另一端； 插入层，位于所述沟道层上，且位于所述源极和所述漏极之间； 势垒层，位于所述插入层上；其中，沿着栅宽方向，在所述势垒层、所述插入层和所述沟道层内间隔设置有若干凹槽，所述凹槽的底部位于所述沟道层内； 钝化层，位于所述势垒层上，其中，沿着所述栅宽方向，设置有贯穿所述钝化层的栅槽，且若干所述凹槽位于所述栅槽下； 栅极，位于若干所述凹槽和所述栅槽中，以及部分所述钝化层的表面； 其中，所述凹槽沿着所述栅宽方向延伸的边长中靠近源极的边长大于靠近漏极的边长，所述凹槽与相邻凹槽之间的未刻蚀区域呈周期性排列，在一个周期内所述凹槽和所述未刻蚀区域的面积比为1：1。
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