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长鑫存储技术有限公司季汝敏获国家专利权

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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利反熔丝存储电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115641897B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110813575.5,技术领域涉及:G11C17/16;该发明授权反熔丝存储电路是由季汝敏设计研发完成,并于2021-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

反熔丝存储电路在说明书摘要公布了:本申请实施例应用于半导体电路设计领域,以提供一种反熔丝存储电路,包括:存储阵列,包括多个反熔丝存储单元;位线,连接在位线的延伸方向上排列的反熔丝存储单元,反熔丝存储单元通过第一开关管电连接位线;字线,连接在字线的延伸方向上排列的第一开关管;第二开关管,用于使位线连接传输导线;第三开关管,用于对传输导线进行放电;读取模块,包括第一输入端、第二输入端、采样输入端,第一输入端连接传输导线,第二输入端用于接收参考电压,采样输入端用于接收采样信号;补偿模块,连接第三开关管,用于减缓传输导线的电压降低速度,通过减缓第三开关管对传输导电的放电速度,从而保证反熔丝存储器读出数据的准确性。

本发明授权反熔丝存储电路在权利要求书中公布了:1.一种反熔丝存储电路,其特征在于,包括: 存储阵列,包括多个反熔丝存储单元,所述反熔丝存储单元通过栅极氧化层是否被击穿来表征存储的1bit数据; 位线,连接在所述位线的延伸方向上排列的所述反熔丝存储单元,所述反熔丝存储单元通过第一开关管电连接所述位线; 字线,连接在所述字线的延伸方向上排列的所述第一开关管,用于根据行选通信号导通被选中的所述第一开关管,其中,所述位线的延伸方向和所述位线的延伸方向相互垂直; 第二开关管,用于使所述位线连接传输导线; 第三开关管,用于对所述传输导线进行放电; 读取模块,包括第一输入端、第二输入端、采样输入端,所述第一输入端连接所述传输导线,所述第二输入端用于接收参考电压,所述采样输入端用于接收采样信号; 补偿模块,连接所述第三开关管,用于减缓由于所述第三开关管漏电而导致的所述传输导线的电压降低速度; 当所述采样信号为有效脉冲,所述读取模块比较所述第一输入端的输入电压和所述参考电压,以输出所述反熔丝存储单元存储的1bit数据。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司,其通讯地址为:230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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