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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种提高1XDD刻蚀均匀度及减小光阻消耗的方法。本发明提出一种提高1XDD刻蚀均匀度及减小光阻消耗的方法，通过以CF为主的刻蚀气体部分刻蚀底部抗反射层后，再采用以H2为主刻蚀气体刻蚀剩余底部抗反射层及氧化物层至介电质层，由于以H2为主刻蚀气体的刻蚀工艺中，光阻和底部抗反射层相对于氧化物层的选择比较高，在提高刻蚀深度均匀性的同时，还大大的减小了对光阻的消耗，从而进一步的提高刻蚀工艺的可靠性，提升产品的良率。
主权项：一种提高1XDD刻蚀均匀度及减小光阻消耗的方法，其特征在于，包括：在一倍设计规格双大马士革工艺的后段制程工艺中，沉积底部抗反射层后形成包含有介电质层、底部氧化物层和第一金属的半导体结构；采用光刻工艺形成具有沟槽图案的光阻，并继续以CF气体为主刻蚀气体部分刻蚀所述底部抗反射层；采用以H2为主刻蚀气体的刻蚀工艺，刻蚀剩余底部抗反射层、所述底部氧化物层至所述介电质层的上表面，去除所述光阻后，形成沟槽结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 一种提高1XDD刻蚀均匀度及减小光阻消耗的方法
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