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申请/专利权人：湖北科技学院
摘要：本发明提供了一种可实现光学定向隐身的PT对称Octonacci序列光子多层结构，属于光学技术领域。包括关于中心呈PT对称的两个Octonacci序列光子多层，Octonacci序列在数学上是一种准周期序列，其迭代规则为：当N＝1时，S1＝A；当N＝2时，S2＝B；当N≥3时，SN＝SN‑1SN‑2SN‑1，其中下标N为序列的序数。满足Octonacci序列的光子多层中的字母A和B代表两种折射率不等的均匀电介质薄片；本发明能够实现特定波长的光的单向隐身等优点。
主权项：1.一种可实现光学定向隐身的PT对称Octonacci序列光子多层结构，其特征在于，包括关于中心呈PT对称的两个Octonacci序列光子多层，Octonacci序列在数学上是一种准周期序列，其迭代规则为：当N＝1时，S1＝A；当N＝2时，S2＝B；当N≥3时，SN＝SN-1SN-2SN-1，其中下标N为序列的序数；满足Octonacci序列的光子多层中的字母A和B代表两种折射率不等的均匀电介质薄片；PT对称Octonacci序列光子多层的中心点左侧的第一电介质层A和第二电介质层B分别称之为第一损耗电介质层和第二增益电介质层，中心点右侧的第一电介质层B'和第二电介质层A'分别称之为第二损耗电介质层和第一增益电介质层，na＝nA+0.01qi，na'＝nA-0.01qi，nb＝nB-0.01qi，nb'＝nB+0.01qi，其中i为虚数单位，q为增益-损耗因子，nA为第一电介质层折射率的实部，nB为第二电介质层折射率的实部，na是第一损耗电介质层A的折射率，nb是第二增益电介质层B的折射率，na'是第一增益电介质层A'的折射率，nb'是第二损耗电介质层B'的折射率；第一电介质层和第二电介质层的厚度均为各自的14光学波长；整个PT对称Octonacci序列光子多层结构的材料折射率关于中心原点满足对称性nz＝n*-z，其中z为位置坐标，符号*表示求复共轭，即折射率实部关于结构中心点呈偶对称分布，折射率虚部关于结构中心点呈奇对称分布。
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